品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4634DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3150pF@15V
连续漏极电流:24.5A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT15H017LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3369pF@75V
连续漏极电流:9.4A€58A
类型:N沟道
导通电阻:17.5mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KQBZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW€4.2W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.92nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:28pF@30V
连续漏极电流:720mA
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@720mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1539EH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:48pF@15V€50pF@15V
连续漏极电流:850mA
类型:N和P沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7292
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€28W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1170pF@50V
连续漏极电流:9A€23A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD514
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:951pF@15V
连续漏极电流:17A€46A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1539EH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:2.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:48pF@15V€50pF@15V
连续漏极电流:850mA
类型:N和P沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4483ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€5.9W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@15V
连续漏极电流:19.2A
类型:P沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4842
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD514
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:951pF@15V
连续漏极电流:17A€46A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7634BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3150pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7113ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@50V
连续漏极电流:10.8A
类型:P沟道
导通电阻:132mΩ@3.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4184A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.3W€50W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@20V
连续漏极电流:13A€50A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4620
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
类型:N和P沟道
导通电阻:24mΩ@7.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4634DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3150pF@15V
连续漏极电流:24.5A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR5103NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:0.81nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@240mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4466
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4620
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
类型:N和P沟道
导通电阻:24mΩ@7.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR5103NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:0.81nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@240mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7292
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€28W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1170pF@50V
连续漏极电流:9A€23A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7408
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€11W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:8.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:10A€18A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KQBZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW€4.2W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:0.92nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:28pF@30V
连续漏极电流:720mA
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@720mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP66923
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1725pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AONS66923
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1725pF@50V
连续漏极电流:15A€47A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP34M4SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:127nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3775pF@15V
连续漏极电流:135A
类型:P沟道
导通电阻:3.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP66923
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1725pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4634DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3150pF@15V
连续漏极电流:24.5A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KQBZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:420mW€4.2W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:0.92nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:28pF@30V
连续漏极电流:720mA
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@720mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4062DY-T1-GE3
功率:7.8W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3175pF@30V
连续漏极电流:32.1A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4483ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€5.9W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@15V
连续漏极电流:19.2A
类型:P沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: