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    阈值电压: 2.6V@250µA
    类型: P沟道
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4483ADY-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4483ADY-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4483ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€5.9W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@15V

    连续漏极电流:19.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7113ADN-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7113ADN-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7113ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.8W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:515pF@50V

    连续漏极电流:10.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:132mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP34M4SPS-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP34M4SPS-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP34M4SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:127nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3775pF@15V

    连续漏极电流:135A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4483ADY-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4483ADY-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4483ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€5.9W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@15V

    连续漏极电流:19.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6407 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6407 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6407

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.3W€83W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3505pF@15V

    连续漏极电流:32A€85A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    AOS Mosfet场效应管 AON6407 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6407 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6407

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.3W€83W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3505pF@15V

    连续漏极电流:32A€85A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4483ADY-T1-GE3 起订7500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4483ADY-T1-GE3 起订7500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4483ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€5.9W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@15V

    连续漏极电流:19.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7113ADN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7113ADN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7113ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.8W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.5nC@10V

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    输入电容:515pF@50V

    连续漏极电流:10.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:132mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:100V

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP34M4SPS-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP34M4SPS-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP34M4SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:127nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3775pF@15V

    连续漏极电流:135A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4483ADY-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4483ADY-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4483ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€5.9W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@15V

    连续漏极电流:19.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    AOS Mosfet场效应管 AON6407 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6407 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6407

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.3W€83W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3505pF@15V

    连续漏极电流:32A€85A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4483ADY-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4483ADY-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4483ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€5.9W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@15V

    连续漏极电流:19.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP34M4SPS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP34M4SPS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP34M4SPS-13

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    功率:1.5W

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    输入电容:3775pF@15V

    连续漏极电流:135A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    AOS Mosfet场效应管 AON6407 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6407 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6407

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.3W€83W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3505pF@15V

    连续漏极电流:32A€85A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7113ADN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7113ADN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7113ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.8W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:16.5nC@10V

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    类型:P沟道

    导通电阻:132mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    AOS Mosfet场效应管 AON6407 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6407 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6407

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.3W€83W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3505pF@15V

    连续漏极电流:32A€85A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7113ADN-T1-GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7113ADN-T1-GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7113ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.8W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:515pF@50V

    连续漏极电流:10.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:132mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP34M4SPS-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP34M4SPS-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP34M4SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:127nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3775pF@15V

    连续漏极电流:135A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4483ADY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4483ADY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4483ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€5.9W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@15V

    连续漏极电流:19.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    AOS Mosfet场效应管 AON6407 起订6000个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6407 起订6000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6407

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.3W€83W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3505pF@15V

    连续漏极电流:32A€85A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4483ADY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4483ADY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4483ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€5.9W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@15V

    连续漏极电流:19.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7113ADN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7113ADN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7113ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.8W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:515pF@50V

    连续漏极电流:10.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:132mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7113ADN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7113ADN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7113ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.8W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:515pF@50V

    连续漏极电流:10.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:132mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4483ADY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4483ADY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4483ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€5.9W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@15V

    连续漏极电流:19.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469ADP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469ADP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7469ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€73.5W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3420pF@40V

    连续漏极电流:7.4A€46A

    类型:P沟道

    导通电阻:19.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP34M4SPS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP34M4SPS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP34M4SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:127nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3775pF@15V

    连续漏极电流:135A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP34M4SPS-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP34M4SPS-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP34M4SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:127nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3775pF@15V

    连续漏极电流:135A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP34M4SPS-13 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP34M4SPS-13 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP34M4SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:127nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3775pF@15V

    连续漏极电流:135A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6407 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6407 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6407

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.3W€83W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3505pF@15V

    连续漏极电流:32A€85A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP34M4SPS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP34M4SPS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP34M4SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:127nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3775pF@15V

    连续漏极电流:135A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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