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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR438DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR438DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR438DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONS66402
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€119W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5570pF@20V
连续漏极电流：49A€85A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR438DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR438DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR438DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR438DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR438DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR438DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR438DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4560pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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