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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5424DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.25W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5424DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.25W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
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功率：3.1W€120W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
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功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5424DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.25W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：22+
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5424DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.25W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5424DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.25W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€120W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2640pF@20V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5424DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.25W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5424DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.25W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5424DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.25W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5424DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.25W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5424DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€6.25W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@4.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
功率：3.1W€120W
类型：N沟道
连续漏极电流：19A€100A
输入电容：2640pF@20V
栅极电荷：32nC@10V
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
阈值电压：2.3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
功率：3.1W€120W
类型：N沟道
连续漏极电流：19A€100A
输入电容：2640pF@20V
栅极电荷：32nC@10V
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：2.3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
功率：3.1W€120W
类型：N沟道
连续漏极电流：19A€100A
输入电容：2640pF@20V
栅极电荷：32nC@10V
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：2.3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503Q5A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
功率：3.1W€120W
类型：N沟道
连续漏极电流：19A€100A
输入电容：2640pF@20V
栅极电荷：32nC@10V
导通电阻：4.3mΩ@22A，10V
阈值电压：2.3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
