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    阈值电压: 2.3V@250µA
    包装方式: 卷带(TR)
    漏源电压: 30V
    行业应用: 汽车
    类型: P沟道
    当前匹配商品:100+
    商品信息
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    AOS Mosfet场效应管 AONR21321 起订15个装
    AOS Mosfet场效应管 AONR21321 起订15个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONR21321

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.1W€24W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:P沟道

    导通电阻:16.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:1.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@15V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@200mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS65DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS65DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS65DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.1W€65.8W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:138nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4930pF@15V

    连续漏极电流:25.9A€94A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:1.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@15V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@200mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:1.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@15V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@200mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR165DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR165DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR165DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69.4W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:138nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4930pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21321 起订18个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21321 起订18个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP21321

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:17mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR165DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR165DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR165DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69.4W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:138nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4930pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:1.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@15V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@200mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21321
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21321

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP21321

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:17mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    AOS Mosfet场效应管 AONR21357 起订12个装
    AOS Mosfet场效应管 AONR21357 起订12个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONR21357

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€30W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2830pF@15V

    连续漏极电流:21A€34A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:1.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@15V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@200mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:1.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@15V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@200mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    AOS Mosfet场效应管 AONS21357
    AOS Mosfet场效应管 AONS21357

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONS21357

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2830pF@15V

    连续漏极电流:21A€36A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:1.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@15V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@200mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:38
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21321
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21321

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP21321

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:17mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:14
    AOS Mosfet场效应管 AONS21321
    AOS Mosfet场效应管 AONS21321

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONS21321

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€24.5W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@15V

    连续漏极电流:14A€24A

    类型:P沟道

    导通电阻:16.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21321
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21321

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP21321

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:17mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:1.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@15V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@200mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D5SFB-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D5SFB-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D5SFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@15V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@200mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    加购:5
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21321
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21321

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP21321

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:17mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21357
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21357

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP21357

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2830pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS65DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS65DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS65DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.1W€65.8W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:138nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4930pF@15V

    连续漏极电流:25.9A€94A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS65DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS65DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS65DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.1W€65.8W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:138nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4930pF@15V

    连续漏极电流:25.9A€94A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21357
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21357

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP21357

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2830pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:1.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@15V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@200mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:1.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@15V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@200mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7145DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7145DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7145DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:413nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15660pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:2.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS65DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS65DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS65DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.1W€65.8W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:138nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4930pF@15V

    连续漏极电流:25.9A€94A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21357
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21357

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP21357

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2830pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
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