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    TI Mosfet场效应管 CSD16410Q5A 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16410Q5A 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16410Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@12.5V

    连续漏极电流:16A€59A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@17A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16412Q5A 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16412Q5A 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16412Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@12.5V

    连续漏极电流:14A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR438DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR438DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR438DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4560pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16412Q5A 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16412Q5A 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16412Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@12.5V

    连续漏极电流:14A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16412Q5A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16412Q5A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16412Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@12.5V

    连续漏极电流:14A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR438DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR438DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR438DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4560pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16412Q5A 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16412Q5A 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16412Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@12.5V

    连续漏极电流:14A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16411Q3 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16411Q3 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16411Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@12.5V

    连续漏极电流:14A€56A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16411Q3 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16411Q3 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16411Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@12.5V

    连续漏极电流:14A€56A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16410Q5A 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16410Q5A 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16410Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@12.5V

    连续漏极电流:16A€59A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@17A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16412Q5A 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16412Q5A 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16412Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@12.5V

    连续漏极电流:14A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16410Q5A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16410Q5A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16410Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@12.5V

    连续漏极电流:16A€59A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@17A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16410Q5A 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16410Q5A 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16410Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@12.5V

    连续漏极电流:16A€59A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@17A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16409Q3 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16409Q3 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16409Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@12.5V

    连续漏极电流:15A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16409Q3 起订5000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16409Q3 起订5000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16409Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@12.5V

    连续漏极电流:15A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16410Q5A 起订30个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16410Q5A 起订30个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16410Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@12.5V

    连续漏极电流:16A€59A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@17A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16409Q3 起订897个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16409Q3 起订897个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":30,"17+":1562}

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16409Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@12.5V

    连续漏极电流:15A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16409Q3 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16409Q3 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16409Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@12.5V

    连续漏极电流:15A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16412Q5A 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16412Q5A 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16412Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@12.5V

    连续漏极电流:14A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16410Q5A 起订6个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16410Q5A 起订6个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16410Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@12.5V

    连续漏极电流:16A€59A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@17A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR438DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR438DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR438DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4560pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16410Q5A 起订6个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16410Q5A 起订6个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16410Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@12.5V

    连续漏极电流:16A€59A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@17A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16412Q5A 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16412Q5A 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16412Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@12.5V

    连续漏极电流:14A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16410Q5A 起订6个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16410Q5A 起订6个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16410Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@12.5V

    连续漏极电流:16A€59A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@17A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR438DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR438DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR438DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4560pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16411Q3 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16411Q3 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16411Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@12.5V

    连续漏极电流:14A€56A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD16409Q3 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16409Q3 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16409Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@12.5V

    连续漏极电流:15A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16412Q5A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16412Q5A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16412Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@12.5V

    连续漏极电流:14A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16411Q3 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16411Q3 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16411Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@12.5V

    连续漏极电流:14A€56A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD16409Q3 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16409Q3 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16409Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@12.5V

    连续漏极电流:15A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:25V

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