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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS50DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@20V
连续漏极电流：29.7A€108A
类型：N沟道
导通电阻：2.83mΩ@15A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR450DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€48W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5920pF@20V
连续漏极电流：36A€113A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@10A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR450DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€48W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5920pF@20V
连续漏极电流：36A€113A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@10A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR150DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€65.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@20V
连续漏极电流：30.9A€110A
类型：N沟道
导通电阻：2.71mΩ@15A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR450DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€48W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5920pF@20V
连续漏极电流：36A€113A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@10A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR450DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€48W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5920pF@20V
连续漏极电流：36A€113A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@10A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR450DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€48W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5920pF@20V
连续漏极电流：36A€113A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@10A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR450DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€48W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5920pF@20V
连续漏极电流：36A€113A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@10A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR450DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€48W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5920pF@20V
连续漏极电流：36A€113A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@10A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6152A
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.3W€208W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@22.5V
连续漏极电流：58A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@20A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS50DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@20V
连续漏极电流：29.7A€108A
类型：N沟道
导通电阻：2.83mΩ@15A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6152A
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.3W€208W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@22.5V
连续漏极电流：58A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@20A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR150DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€65.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@20V
连续漏极电流：30.9A€110A
类型：N沟道
导通电阻：2.71mΩ@15A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS50DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@20V
连续漏极电流：29.7A€108A
类型：N沟道
导通电阻：2.83mΩ@15A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS50DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@20V
连续漏极电流：29.7A€108A
类型：N沟道
导通电阻：2.83mΩ@15A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR150DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€65.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@20V
连续漏极电流：30.9A€110A
类型：N沟道
导通电阻：2.71mΩ@15A，10V
漏源电压：45V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR450DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€48W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5920pF@20V
连续漏极电流：36A€113A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@10A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS50DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@20V
连续漏极电流：29.7A€108A
类型：N沟道
导通电阻：2.83mΩ@15A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR150DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€65.7W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@20V
连续漏极电流：30.9A€110A
类型：N沟道
导通电阻：2.71mΩ@15A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR150DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€65.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@20V
连续漏极电流：30.9A€110A
类型：N沟道
导通电阻：2.71mΩ@15A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS50DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@20V
连续漏极电流：29.7A€108A
类型：N沟道
导通电阻：2.83mΩ@15A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR150DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€65.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@20V
连续漏极电流：30.9A€110A
类型：N沟道
导通电阻：2.71mΩ@15A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR150DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€65.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@20V
连续漏极电流：30.9A€110A
类型：N沟道
导通电阻：2.71mΩ@15A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR450DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€48W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5920pF@20V
连续漏极电流：36A€113A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@10A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6152A
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.3W€208W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@22.5V
连续漏极电流：58A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@20A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6152A
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.3W€208W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@22.5V
连续漏极电流：58A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@20A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR150DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€65.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@20V
连续漏极电流：30.9A€110A
类型：N沟道
导通电阻：2.71mΩ@15A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS50DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@20V
连续漏极电流：29.7A€108A
类型：N沟道
导通电阻：2.83mΩ@15A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6152A
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.3W€208W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@22.5V
连续漏极电流：58A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@20A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6152A
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.3W€208W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@22.5V
连续漏极电流：58A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@20A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
