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    阈值电压: 2.3V@250µA
    类型: N沟道
    当前匹配商品:1400+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR402DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR402DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR402DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:165nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9100pF@20V

    连续漏极电流:64.6A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.88mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002KT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002KT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7002K 起订3000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7002K 起订3000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTL66401 起订1个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTL66401 起订1个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTL66401

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:8.3W€300W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:340nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:19180pF@20V

    连续漏极电流:82A€400A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC012N04LM6ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC012N04LM6ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC012N04LM6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€125W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@20V

    连续漏极电流:37A€238A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16410Q5A 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16410Q5A 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16410Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@12.5V

    连续漏极电流:16A€59A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@17A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18531Q5A 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18531Q5A 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18531Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€156W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3840pF@30V

    连续漏极电流:19A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4166NT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4166NT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHS4166NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16412Q5A 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16412Q5A 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16412Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@12.5V

    连续漏极电流:14A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR638DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR638DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR638DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:204nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10500pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.88mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC022N04LS6ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC022N04LS6ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC022N04LS6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€79W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@20V

    连续漏极电流:27A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR638DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR638DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR638DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:204nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10500pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.88mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5424DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6.25W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4965NFTAG 起订282个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4965NFTAG 起订282个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":11782}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4965NFTAG

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2075pF@15V

    连续漏极电流:16.3A€64A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR7843TRPBF 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR7843TRPBF 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR7843TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:140W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4380pF@15V

    连续漏极电流:161A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC007N04LS6ATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC007N04LS6ATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC007N04LS6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:94nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8400pF@20V

    连续漏极电流:381A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR472ADP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR472ADP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR472ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W€14.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC012N04LM6ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC012N04LM6ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC012N04LM6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€125W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@20V

    连续漏极电流:37A€238A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18533KCS 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18533KCS 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18533KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:192W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3025pF@30V

    连续漏极电流:72A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18503Q5A 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18503Q5A 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18503Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€120W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2640pF@20V

    连续漏极电流:19A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@22A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18510KTT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18510KTT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18510KTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:153nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11400pF@20V

    连续漏极电流:274A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR7833TRLPBF 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR7833TRLPBF 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR7833TRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:140W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4010pF@15V

    连续漏极电流:140A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18531Q5AT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18531Q5AT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18531Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€156W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3840pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS50DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS50DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS50DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@20V

    连续漏极电流:29.7A€108A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.83mΩ@15A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4166NT1G 起订922个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4166NT1G 起订922个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHS4166NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC007N04LS6ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC007N04LS6ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC007N04LS6ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:94nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8400pF@20V

    连续漏极电流:381A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONS32302 起订2个装
    AOS Mosfet场效应管 AONS32302 起订2个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONS32302

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:119W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6060pF@15V

    连续漏极电流:56A€220A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.35mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR7833TRPBF 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR7833TRPBF 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR7833TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:140W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4010pF@15V

    连续漏极电流:140A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3008SFGQ-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3008SFGQ-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3008SFGQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3690pF@10V

    连续漏极电流:17.6A€62A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5424DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6.25W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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