销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR165DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：69.4W

阈值电压：2.3V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：138nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4930pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：P沟道

导通电阻：4.6mΩ@15A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7141DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：400nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：14300pF@10V

连续漏极电流：60A

类型：P沟道

导通电阻：1.9mΩ@25A，10V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7141DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：2.3V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：400nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：14300pF@10V

连续漏极电流：60A

类型：P沟道

导通电阻：1.9mΩ@25A，10V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7145DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：413nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：15660pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：P沟道

导通电阻：2.6mΩ@25A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7145DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：413nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：15660pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：P沟道

导通电阻：2.6mΩ@25A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7145DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：2.3V@250µA

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输入电容：15660pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：P沟道

导通电阻：2.6mΩ@25A，10V

漏源电压：30V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7141DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：2.3V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：400nC@10V

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输入电容：14300pF@10V

连续漏极电流：60A

类型：P沟道

导通电阻：1.9mΩ@25A，10V

漏源电压：20V

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规格型号(MPN)：SI7145DP-T1-GE3

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功率：6.25W€104W

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类型：P沟道

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漏源电压：30V

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规格型号(MPN)：SI7145DP-T1-GE3

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功率：6.25W€104W

阈值电压：2.3V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：413nC@10V

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类型：P沟道

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漏源电压：30V

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功率：6.25W€104W

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类型：P沟道

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功率：69.4W

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ECCN：EAR99

栅极电荷：138nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4930pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：P沟道

导通电阻：4.6mΩ@15A，10V

漏源电压：30V

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规格型号(MPN)：SI7145DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：2.3V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：413nC@10V

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连续漏极电流：60A

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导通电阻：2.6mΩ@25A，10V

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输入电容：4930pF@15V

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类型：P沟道

导通电阻：4.6mΩ@15A，10V

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功率：69.4W

阈值电压：2.3V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：138nC@10V

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输入电容：4930pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：P沟道

导通电阻：4.6mΩ@15A，10V

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功率：69.4W

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ECCN：EAR99

栅极电荷：138nC@10V

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输入电容：4930pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：P沟道

导通电阻：4.6mΩ@15A，10V

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工作温度：-55℃~150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：413nC@10V

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输入电容：15660pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：P沟道

导通电阻：2.6mΩ@25A，10V

漏源电压：30V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7145DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：413nC@10V

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输入电容：15660pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：P沟道

导通电阻：2.6mΩ@25A，10V

漏源电压：30V

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功率：6.25W€104W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：413nC@10V

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输入电容：15660pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：P沟道

导通电阻：2.6mΩ@25A，10V

漏源电压：30V

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规格型号(MPN)：SI7141DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：400nC@10V

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输入电容：14300pF@10V

连续漏极电流：60A

类型：P沟道

导通电阻：1.9mΩ@25A，10V

漏源电压：20V

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规格型号(MPN)：SI7145DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：413nC@10V

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输入电容：15660pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：P沟道

导通电阻：2.6mΩ@25A，10V

漏源电压：30V

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工作温度：-55℃~150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：413nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：15660pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：P沟道

导通电阻：2.6mΩ@25A，10V

漏源电压：30V

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规格型号(MPN)：SI7145DP-T1-GE3

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功率：6.25W€104W

阈值电压：2.3V@250µA

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输入电容：15660pF@15V

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类型：P沟道

导通电阻：2.6mΩ@25A，10V

漏源电压：30V

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规格型号(MPN)：SI7141DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：400nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：14300pF@10V

连续漏极电流：60A

类型：P沟道

导通电阻：1.9mΩ@25A，10V

漏源电压：20V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7145DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：413nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：15660pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：P沟道

导通电阻：2.6mΩ@25A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7141DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：2.3V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：400nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：14300pF@10V

连续漏极电流：60A

类型：P沟道

导通电阻：1.9mΩ@25A，10V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

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规格型号(MPN)：SI7141DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：400nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：14300pF@10V

连续漏极电流：60A

类型：P沟道

导通电阻：1.9mΩ@25A，10V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7145DP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：6.25W€104W

阈值电压：2.3V@250µA

栅极电荷：413nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：15660pF@15V

连续漏极电流：60A

类型：P沟道

导通电阻：2.6mΩ@25A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1