品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4463CDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€5W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@15V
连续漏极电流:13.6A€49A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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输入电容:4250pF@15V
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栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@15V
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栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@15V
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导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:20V
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栅极电荷:162nC@10V
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输入电容:4250pF@15V
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栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@15V
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导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:20V
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栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@15V
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漏源电压:20V
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栅极电荷:162nC@10V
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输入电容:4250pF@15V
连续漏极电流:13.6A€49A
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漏源电压:20V
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栅极电荷:162nC@10V
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输入电容:4250pF@15V
连续漏极电流:13.6A€49A
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导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:20V
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栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@15V
连续漏极电流:13.6A€49A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:20V
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阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@15V
连续漏极电流:13.6A€49A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:20V
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功率:2.7W€5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
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输入电容:4250pF@15V
连续漏极电流:13.6A€49A
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ECCN:EAR99
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输入电容:4250pF@15V
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阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@15V
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漏源电压:20V
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阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@15V
连续漏极电流:13.6A€49A
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导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:20V
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阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@15V
连续漏极电流:13.6A€49A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:20V
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功率:2.7W€5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@15V
连续漏极电流:13.6A€49A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:20V
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工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@15V
连续漏极电流:13.6A€49A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:20V
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功率:2.7W€5W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@15V
连续漏极电流:13.6A€49A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:2.7W€5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@15V
连续漏极电流:13.6A€49A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:20V
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功率:2.7W€5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@15V
连续漏极电流:13.6A€49A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
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销售单位:个
规格型号(MPN):SI4463CDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€5W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@15V
连续漏极电流:13.6A€49A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4463CDY-T1-GE3
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.4V@250µA
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@13A,10V
连续漏极电流:13.6A€49A
漏源电压:20V
功率:2.7W€5W
输入电容:4250pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4463CDY-T1-GE3
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.4V@250µA
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@13A,10V
连续漏极电流:13.6A€49A
漏源电压:20V
功率:2.7W€5W
输入电容:4250pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4463CDY-T1-GE3
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.4V@250µA
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@13A,10V
连续漏极电流:13.6A€49A
漏源电压:20V
功率:2.7W€5W
ECCN:EAR99
输入电容:4250pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4463CDY-T1-GE3
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.4V@250µA
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@13A,10V
连续漏极电流:13.6A€49A
漏源电压:20V
功率:2.7W€5W
ECCN:EAR99
输入电容:4250pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
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