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    VISHAY Mosfet场效应管 SIB406EDK-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB406EDK-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB406EDK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.95W€10W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@3.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA923EDJ-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA923EDJ-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA923EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:1.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:54mΩ@3.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA921EDJ-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA921EDJ-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA921EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:59mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3130NT1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3130NT1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3130NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:935pF@16V

    连续漏极电流:4.23A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@5.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5457DC-T1-GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5457DC-T1-GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5457DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.7W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:36mΩ@4.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3419 起订35个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3419 起订35个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3419

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:4.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463BDY-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4463BDY-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4463BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@13.7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2100UFU-7 起订17个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2100UFU-7 起订17个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2100UFU-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:906pF@10V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:2P沟道(双)共漏

    导通电阻:38mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7540ADP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7540ADP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7540ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:12A€9A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:28mΩ@12A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5457DC-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5457DC-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5457DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.7W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:36mΩ@4.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7157DP-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7157DP-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7157DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:625nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22000pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443BDV-T1-E3 起订8个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3443BDV-T1-E3 起订8个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3443BDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-13 起订46个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-13 起订46个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2046U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:292pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA906EDJ-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA906EDJ-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA906EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:1.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:46mΩ@3.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7137DP-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7137DP-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7137DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:585nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20000pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.95mΩ@25A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA008P20LZ 起订1271个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA008P20LZ 起订1271个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":33000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA008P20LZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4383pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD85312Q3E 起订2500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD85312Q3E 起订2500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD85312Q3E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2390pF@10V

    连续漏极电流:39A

    类型:2N沟道(双)共源

    导通电阻:12.4mΩ@10A,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7137DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7137DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7137DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:585nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20000pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.95mΩ@25A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-7 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-7 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2046U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:292pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2003UPS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2003UPS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2003UPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:177nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8352pF@10V

    连续漏极电流:150A

    类型:P沟道

    导通电阻:2.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2050L-7 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2050L-7 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2050L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:6.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:532pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA906EDJ-T1-GE3 起订11个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA906EDJ-T1-GE3 起订11个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA906EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:1.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:46mΩ@3.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2100UQ-7 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2100UQ-7 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2100UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:9.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:216pF@15V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2100U-7 起订24个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2100U-7 起订24个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2100U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:9.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:216pF@15V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2050L-7 起订24个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2050L-7 起订24个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2050L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:6.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:532pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2075UFDB-7 起订16个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2075UFDB-7 起订16个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2075UFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:642pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:75mΩ@2.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2060UFDB-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2060UFDB-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2060UFDB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:881pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:90mΩ@2.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5457DC-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5457DC-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5457DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.7W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:36mΩ@4.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7540ADP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7540ADP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7540ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:12A€9A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:28mΩ@12A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD85312Q3E 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD85312Q3E 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD85312Q3E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2390pF@10V

    连续漏极电流:39A

    类型:2N沟道(双)共源

    导通电阻:12.4mΩ@10A,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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