品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR4003NT3G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
输入电容:21pF@5V
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.15nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4171PT1G
输入电容:720pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:75mΩ@2.2A,10V
栅极电荷:15.6nC@10V
阈值电压:1.4V@250µA
类型:P沟道
连续漏极电流:2.2A
功率:480mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4171PT1G
输入电容:720pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:75mΩ@2.2A,10V
栅极电荷:15.6nC@10V
阈值电压:1.4V@250µA
类型:P沟道
连续漏极电流:2.2A
功率:480mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4170NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.4V@250µA
输入电容:432pF@15V
功率:480mW
栅极电荷:4.76nC@4.5V
连续漏极电流:2.4A
导通电阻:55mΩ@3.2A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT3G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
输入电容:21pF@5V
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
栅极电荷:1.15nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
输入电容:21pF@5V
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
栅极电荷:1.15nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
输入电容:21pF@5V
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
栅极电荷:1.15nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT3G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
输入电容:21pF@5V
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
栅极电荷:1.15nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR4003NT3G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
输入电容:21pF@5V
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.15nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":64900}
规格型号(MPN):FDMA008P20LZ
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4383pF@10V
导通电阻:13mΩ@2.5A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
连续漏极电流:12A
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:39nC@4.5V
类型:P沟道
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR4003NT3G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
输入电容:21pF@5V
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
栅极电荷:1.15nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT3G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
输入电容:21pF@5V
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.15nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4171PT1G
输入电容:720pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:75mΩ@2.2A,10V
栅极电荷:15.6nC@10V
阈值电压:1.4V@250µA
类型:P沟道
连续漏极电流:2.2A
功率:480mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4170NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:1.4V@250µA
输入电容:432pF@15V
功率:480mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.76nC@4.5V
连续漏极电流:2.4A
导通电阻:55mΩ@3.2A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3130NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:935pF@16V
连续漏极电流:4.23A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@5.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4170NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:4.76nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:432pF@15V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":33000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA008P20LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4383pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4171PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@15V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@2.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4170NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.76nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:432pF@15V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4171PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@15V
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@2.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR4003NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4170NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:4.76nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:432pF@15V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4170NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:4.76nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:432pF@15V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4170NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:4.76nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:432pF@15V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: