品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5457DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.7W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:36mΩ@4.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD401ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.573Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3419
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:4.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4463BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.8A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@13.7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD401ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.573Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5457DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.7W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:36mΩ@4.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7157DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:625nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22000pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.6mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8409DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.47W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:46mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3443BDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO7401
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:5.06nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:409pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7137DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:585nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20000pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.95mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":33000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA008P20LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4383pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7137DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:585nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20000pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.95mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2003UPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:177nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8352pF@10V
连续漏极电流:150A
类型:P沟道
导通电阻:2.2mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2100UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:216pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@3.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2100U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:216pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@3.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3403
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:115mΩ@2.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5457DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.7W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:36mΩ@4.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7157DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:625nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22000pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.6mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3443BDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3403
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:115mΩ@2.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7137DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:585nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20000pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.95mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO7401
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:5.06nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:409pF@15V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@1.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4463CDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€5W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:162nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@15V
连续漏极电流:13.6A€49A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2003UPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:177nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8352pF@10V
连续漏极电流:150A
类型:P沟道
导通电阻:2.2mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3495EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3950pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:21mΩ@5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3443BDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3443CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2100UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:216pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@3.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7157DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:625nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22000pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.6mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: