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    类型: N沟道
    当前匹配商品:100+
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    TI Mosfet场效应管 CSD16327Q3T
    TI Mosfet场效应管 CSD16327Q3T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16327Q3T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:8.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@12.5V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@24A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16321Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@12.5V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TI Mosfet场效应管 CSD16327Q3
    TI Mosfet场效应管 CSD16327Q3

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16327Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:8.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@12.5V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@24A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16321Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@12.5V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TI Mosfet场效应管 CSD16327Q3
    TI Mosfet场效应管 CSD16327Q3

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16327Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:8.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@12.5V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@24A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD16327Q3
    TI Mosfet场效应管 CSD16327Q3

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16327Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:8.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@12.5V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@24A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16321Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@12.5V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16321Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@12.5V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD16327Q3 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16327Q3 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16327Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:8.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@12.5V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@24A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD16325Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD16325Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16325Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@12.5V

    连续漏极电流:33A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@30A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4116DY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4116DY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4116DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD16327Q3 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16327Q3 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16327Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:8.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@12.5V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@24A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    TI Mosfet场效应管 CSD16325Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD16325Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":5572}

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16325Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@12.5V

    连续漏极电流:33A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@30A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16321Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@12.5V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5T
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16321Q5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€113W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@12.5V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5T
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16321Q5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€113W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@12.5V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD16323Q3
    TI Mosfet场效应管 CSD16323Q3

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16323Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@12.5V

    连续漏极电流:21A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@24A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16321Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@12.5V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD16325Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD16325Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16325Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@12.5V

    连续漏极电流:33A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@30A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    TI Mosfet场效应管 CSD16323Q3
    TI Mosfet场效应管 CSD16323Q3

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16323Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@12.5V

    连续漏极电流:21A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@24A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD16323Q3
    TI Mosfet场效应管 CSD16323Q3

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16323Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@12.5V

    连续漏极电流:21A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@24A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD16323Q3
    TI Mosfet场效应管 CSD16323Q3

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16323Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@12.5V

    连续漏极电流:21A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@24A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD16322Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD16322Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16322Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1365pF@12.5V

    连续漏极电流:21A€97A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@20A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5T
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16321Q5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€113W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@12.5V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16321Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@12.5V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD16327Q3T
    TI Mosfet场效应管 CSD16327Q3T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16327Q3T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:8.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@12.5V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@24A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD16322Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD16322Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16322Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1365pF@12.5V

    连续漏极电流:21A€97A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@20A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16321Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@12.5V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16321Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@12.5V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5T
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16321Q5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€113W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@12.5V

    连续漏极电流:29A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
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