品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N50
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:331pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N50
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:331pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7317DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€19.8W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:365pF@75V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7317DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€19.8W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:365pF@75V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N50
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:331pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7317DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€19.8W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:365pF@75V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N50
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:331pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N50
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:331pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7317DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€19.8W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:365pF@75V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7317DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€19.8W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:365pF@75V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N50
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:331pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7317DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€19.8W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:365pF@75V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N50
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:331pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7317DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€19.8W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:365pF@75V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N50
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:331pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N50
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:331pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N50
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:331pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N80
工作温度:-50℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N80
工作温度:-50℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7317DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€19.8W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:365pF@75V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N80
工作温度:-50℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N50
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:331pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N50
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:331pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N50
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:331pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N50
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:331pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N50
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:331pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N50
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:331pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N50
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:331pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD3N50
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:331pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: