销售单位:个
规格型号(MPN):STD25N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@50V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@50V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA05N100HV
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:17Ω@375mA,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@50V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA05N100HV
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:17Ω@375mA,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@50V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@50V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@50V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FKV575
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3200pF@10V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@37A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FKV575
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3200pF@10V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@37A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA05N100HV
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:17Ω@375mA,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@50V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA05N100HV
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:260pF@25V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:17Ω@375mA,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@50V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@50V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@50V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@50V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@50V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FKV575
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3200pF@10V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@37A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25N10F7
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:35mΩ@12.5A,10V
输入电容:920pF@50V
功率:40W
栅极电荷:14nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IXTA05N100HV
阈值电压:4.5V@250µA
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:7.8nC@10V
连续漏极电流:750mA
功率:40W
类型:N沟道
漏源电压:1000V
包装方式:Tube
输入电容:260pF@25V
导通电阻:17Ω@375mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@50V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:40W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@50V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: