品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8802DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI8802DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@1A,4.5V
漏源电压:8V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:500mW
阈值电压:700mV@250µA
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连续漏极电流:3A
类型:N沟道
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分类:Mosfet场效应管
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功率:500mW
阈值电压:700mV@250µA
ECCN:EAR99
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连续漏极电流:3A
类型:N沟道
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功率:500mW
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ECCN:EAR99
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类型:N沟道
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