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    阈值电压: 2.5V@250µA
    行业应用: 汽车
    类型: N沟道
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    当前匹配商品:1500+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQS840CENW-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS840CENW-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS840CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1031pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 Si2318CDS-T1-GE3 起订22个装
    VISHAY Mosfet场效应管 Si2318CDS-T1-GE3 起订22个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):Si2318CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@20V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM024NA04LCR RLG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM024NA04LCR RLG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM024NA04LCR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4224pF@20V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCU60N04-TP 起订3个装
    MCC Mosfet场效应管 MCU60N04-TP 起订3个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCU60N04-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ860EP-T1_GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ860EP-T1_GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ860EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH43M8LFGQ-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH43M8LFGQ-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH43M8LFGQ-7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.62W€65.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:40.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2798pF@20V

    连续漏极电流:24A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLS3034TRL7PP 起订188个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLS3034TRL7PP 起订188个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":800}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLS3034TRL7PP

    功率:380W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10990pF@40V

    连续漏极电流:240A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@200A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLP3034PBF 起订25个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLP3034PBF 起订25个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLP3034PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:341W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:162nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:10315pF@25V

    连续漏极电流:195A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@195A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484EN-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1855pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4122DY-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4122DY-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4122DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4200pF@20V

    连续漏极电流:27.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ402E-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ402E-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ402E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13500pF@20V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR416DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR416DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR416DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€69W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3350pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 AO4480 起订3个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4480 起订3个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4480

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1920pF@20V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ858AEP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ858AEP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ858AEP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2450pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM033NA04LCR RLG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM033NA04LCR RLG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM033NA04LCR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3130pF@20V

    连续漏极电流:141A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7116BDN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7116BDN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7116BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1915pF@20V

    连续漏极电流:18.4A€65A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 AO4480 起订2个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4480 起订2个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4480

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1920pF@20V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P-AU_R2_000A1 起订3个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P-AU_R2_000A1 起订3个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4448P-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€42W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@20V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4444P_R2_00001 起订3个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4444P_R2_00001 起订3个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4444P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1258pF@25V

    连续漏极电流:14A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ402E-T1_GE3 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ402E-T1_GE3 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ402E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13500pF@20V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR426DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR426DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR426DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€41.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ444EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ444EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ444EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3418EV-T1_BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3418EV-T1_BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3418EV-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:678pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS0D7N04CLTXG 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS0D7N04CLTXG 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS0D7N04CLTXG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€205W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:205nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12238pF@25V

    连续漏极电流:67A€433A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.63mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS484CENW-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ848EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ848EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ848EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@20V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL7472L1TRPBF 起订4000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL7472L1TRPBF 起订4000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL7472L1TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€341W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:330nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20082pF@25V

    连续漏极电流:375A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.59mΩ@195A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65ENEAR 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65ENEAR 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW€6.25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@20V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4184EY-T1_GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4184EY-T1_GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4184EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@20V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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