采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM040N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM040N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP200N3LL
工作温度：-55℃~175℃
功率：176.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@60A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP200N3LL
工作温度：-55℃~175℃
功率：176.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@60A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP200N3LL
工作温度：-55℃~175℃
功率：176.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@60A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP200N3LL
工作温度：-55℃~175℃
功率：176.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@60A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM040N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP200N3LL
工作温度：-55℃~175℃
功率：176.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@60A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP200N3LL
工作温度：-55℃~175℃
功率：176.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@60A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM040N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM040N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM040N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM040N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM040N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM040N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP200N3LL
工作温度：-55℃~175℃
功率：176.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@60A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP200N3LL
工作温度：-55℃~175℃
功率：176.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@60A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM040N03CP ROG
工作温度：150℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@24A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP200N3LL
工作温度：-55℃~175℃
功率：176.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@60A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM040N03CP ROG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
输入电容：2200pF@25V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：90A
功率：88W
导通电阻：4mΩ@24A，10V
栅极电荷：53nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM040N03CP ROG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
输入电容：2200pF@25V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：90A
功率：88W
导通电阻：4mΩ@24A，10V
栅极电荷：53nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM040N03CP ROG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
输入电容：2200pF@25V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：90A
功率：88W
导通电阻：4mΩ@24A，10V
栅极电荷：53nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP200N3LL
工作温度：-55℃~175℃
功率：176.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@60A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP200N3LL
工作温度：-55℃~175℃
功率：176.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：53nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@60A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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