品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR836DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.9W€15.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@20V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV25ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW€6.94W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:597pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR836DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.9W€15.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@20V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM150NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:966pF@20V
连续漏极电流:10A€41A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR836DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.9W€15.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@20V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR836DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.9W€15.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@20V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM280NB06LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7A€28A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM150NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:966pF@20V
连续漏极电流:10A€41A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR836DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.9W€15.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@20V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM280NB06LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7A€28A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV25ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW€6.94W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:597pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":4816,"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV25ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW€6.94W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:597pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8778
工作温度:-55℃~175℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:845pF@13V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@35A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6500,"MI+":9210}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8778
工作温度:-55℃~175℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:845pF@13V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@35A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM280NB06LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7A€28A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM280NB06LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7A€28A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR836DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.9W€15.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@20V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6500,"MI+":9210}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8778
工作温度:-55℃~175℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:845pF@13V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@35A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM150NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:966pF@20V
连续漏极电流:10A€41A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR836DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.9W€15.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@20V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM280NB06LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7A€28A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM280NB06LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7A€28A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM280NB06LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7A€28A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM280NB06LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7A€28A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR836DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.9W€15.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@20V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM150NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:966pF@20V
连续漏极电流:10A€41A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR836DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.9W€15.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@20V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM280NB06LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:969pF@30V
连续漏极电流:7A€28A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR836DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.9W€15.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@20V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR836DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.9W€15.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@20V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: