首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    阈值电压
    栅极电荷
    工作温度
    行业应用
    类型
    漏源电压
    阈值电压: 2.5V@250µA
    栅极电荷: 30nC@10V
    工作温度: -55℃~150℃
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472DN-T1-GE3 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472DN-T1-GE3 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS472DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€28W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:997pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS862ADN-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS862ADN-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS862ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1235pF@30V

    连续漏极电流:15.8A€52A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMSD6N303R2G 起订782个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMSD6N303R2G 起订782个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":127500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMSD6N303R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@24V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMSD6N303R2G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMSD6N303R2G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":127500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMSD6N303R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@24V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS862ADN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS862ADN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS862ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1235pF@30V

    连续漏极电流:15.8A€52A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS862ADN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS862ADN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS862ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1235pF@30V

    连续漏极电流:15.8A€52A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS862ADN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS862ADN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS862ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1235pF@30V

    连续漏极电流:15.8A€52A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD66406 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD66406 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD66406

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.2W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1480pF@20V

    连续漏极电流:25A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SL3007-TP 起订100个装
    MCC Mosfet场效应管 SL3007-TP 起订100个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SL3007-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD66406 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD66406 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD66406

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.2W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1480pF@20V

    连续漏极电流:25A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD66406 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD66406 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD66406

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.2W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1480pF@20V

    连续漏极电流:25A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMSD6N303R2G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMSD6N303R2G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMSD6N303R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@24V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS862ADN-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS862ADN-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS862ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1235pF@30V

    连续漏极电流:15.8A€52A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS472DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€28W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:997pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMSD6N303R2 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMSD6N303R2 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMSD6N303R2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@24V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMSD6N303R2 起订1527个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMSD6N303R2 起订1527个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMSD6N303R2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@24V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SL3007-TP 起订5个装
    MCC Mosfet场效应管 SL3007-TP 起订5个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SL3007-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMSD6N303R2 起订1527个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMSD6N303R2 起订1527个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":21450,"MI+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMSD6N303R2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@24V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS862ADN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS862ADN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS862ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1235pF@30V

    连续漏极电流:15.8A€52A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS862ADN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS862ADN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS862ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1235pF@30V

    连续漏极电流:15.8A€52A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONR66406 起订13个装
    AOS Mosfet场效应管 AONR66406 起订13个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONR66406

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€27W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1480pF@20V

    连续漏极电流:22A€30A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G30N04D3 起订3个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G30N04D3 起订3个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G30N04D3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS8880 起订5个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS8880 起订5个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8880

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    输入电容:1235pF@15V

    连续漏极电流:11.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@11.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON3419 起订8个装
    AOS Mosfet场效应管 AON3419 起订8个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON3419

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:19mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SL3007-TP 起订5个装
    MCC Mosfet场效应管 SL3007-TP 起订5个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SL3007-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G30N04D3 起订13个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G30N04D3 起订13个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G30N04D3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD66406 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD66406 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD66406

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.2W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1480pF@20V

    连续漏极电流:25A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMSD6N303R2G 起订713个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMSD6N303R2G 起订713个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":3257,"11+":1553,"13+":2258,"16+":17500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMSD6N303R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@24V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD66406 起订9个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD66406 起订9个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD66406

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.2W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1480pF@20V

    连续漏极电流:25A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMSD6N303R2G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMSD6N303R2G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":3257,"11+":1553,"13+":2258,"16+":17500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMSD6N303R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@24V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧