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    栅极电荷: 28nC@10V
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7772DP-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7772DP-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7772DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.9W€29.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1084pF@15V

    连续漏极电流:35.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06CP ROG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06CP ROG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM230N06CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5466A_R2_00001 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5466A_R2_00001 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5466A_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@20V

    连续漏极电流:6.5A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5466A-AU_R2_000A1 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5466A-AU_R2_000A1 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5466A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€100W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@20V

    连续漏极电流:6.5A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5466A_R2_00001 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5466A_R2_00001 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5466A_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@20V

    连续漏极电流:6.5A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7772DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7772DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7772DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.9W€29.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1084pF@15V

    连续漏极电流:35.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7582 起订745个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7582 起订745个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":63000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7582

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1795pF@13V

    连续漏极电流:16.7A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@16.7A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06PQ56 RLG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06PQ56 RLG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM230N06PQ56 RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@20V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06PQ56 RLG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06PQ56 RLG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM230N06PQ56 RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@20V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCU80N03-TP 起订100个装
    MCC Mosfet场效应管 MCU80N03-TP 起订100个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCU80N03-TP

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@15V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCG50N03-TP 起订500个装
    MCC Mosfet场效应管 MCG50N03-TP 起订500个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCG50N03-TP

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2150pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCG50N03-TP 起订100个装
    MCC Mosfet场效应管 MCG50N03-TP 起订100个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCG50N03-TP

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2150pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06CP ROG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06CP ROG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM230N06CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCU80N03-TP 起订10个装
    MCC Mosfet场效应管 MCU80N03-TP 起订10个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCU80N03-TP

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@15V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCG30N03A-TP 起订500个装
    MCC Mosfet场效应管 MCG30N03A-TP 起订500个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCG30N03A-TP

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06CP ROG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06CP ROG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM230N06CP ROG

    工作温度:150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7772DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7772DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7772DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.9W€29.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1084pF@15V

    连续漏极电流:35.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCG30N03A-TP 起订2000个装
    MCC Mosfet场效应管 MCG30N03A-TP 起订2000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCG30N03A-TP

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCG30N03A-TP 起订100个装
    MCC Mosfet场效应管 MCG30N03A-TP 起订100个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCG30N03A-TP

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    MCC Mosfet场效应管 MCG50N03-TP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 MCG50N03-TP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCG50N03-TP

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2150pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5466A-AU_R2_000A1 起订3个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5466A-AU_R2_000A1 起订3个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5466A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€100W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@20V

    连续漏极电流:6.5A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5466A-AU_R2_000A1 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5466A-AU_R2_000A1 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5466A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€100W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@20V

    连续漏极电流:6.5A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    MCC Mosfet场效应管 MCU80N03-TP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 MCU80N03-TP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCU80N03-TP

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@15V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7772DP-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7772DP-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7772DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.9W€29.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1084pF@15V

    连续漏极电流:35.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCG50N03-TP 起订3个装
    MCC Mosfet场效应管 MCG50N03-TP 起订3个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCG50N03-TP

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2150pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5466A_R2_00001 起订3个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5466A_R2_00001 起订3个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5466A_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@20V

    连续漏极电流:6.5A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCQ4406A-TP 起订4个装
    MCC Mosfet场效应管 MCQ4406A-TP 起订4个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCQ4406A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCG50N03-TP 起订3个装
    MCC Mosfet场效应管 MCG50N03-TP 起订3个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCG50N03-TP

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2150pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7772DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7772DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7772DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.9W€29.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1084pF@15V

    连续漏极电流:35.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCQ4406A-TP 起订4个装
    MCC Mosfet场效应管 MCQ4406A-TP 起订4个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCQ4406A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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