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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：2.7A€3.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：2.7A€3.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：2.7A€3.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：2.7A€3.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：2.7A€3.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：6000，"18+"：45000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB25ENEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：607pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@7.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：2.7A€3.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM045NA03CR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1194pF@15V
连续漏极电流：108A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：2.7A€3.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：2.7A€3.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：6000，"18+"：45000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB25ENEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：607pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@7.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：2.7A€3.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：2.7A€3.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：2.7A€3.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：2.7A€3.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：2.7A€3.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM045NA03CR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1194pF@15V
连续漏极电流：108A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM045NA03CR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1194pF@15V
连续漏极电流：108A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：2.7A€3.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：2.7A€3.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：2.7A€3.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：2.7A€3.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：2.7A€3.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：2.7A€3.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：2.7A€3.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：2.7A€3.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：2.7A€3.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：2.7A€3.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：2.7A€3.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：2.7A€3.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
