采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
工作温度：175℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
工作温度：175℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
工作温度：175℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：123500，"12+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4857NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.31W€56.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@12V
连续漏极电流：12A€78A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
工作温度：175℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
工作温度：175℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
栅极电荷：24nC@4.5V
功率：7W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：2200pF@25V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
工作温度：175℃
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
连续漏极电流：30A
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
工作温度：175℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
栅极电荷：24nC@4.5V
功率：7W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：2200pF@25V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
工作温度：175℃
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
连续漏极电流：30A
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
工作温度：175℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：123500，"12+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4857NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.31W€56.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@12V
连续漏极电流：12A€78A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
工作温度：175℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
工作温度：175℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4857NAT4G
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@12V
连续漏极电流：12A€78A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
工作温度：175℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM042N03CS RLG
工作温度：175℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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