品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P08-25L_GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:137nC@10V
导通电阻:25mΩ@10.5A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
ECCN:EAR99
输入电容:5350pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP50P03YDG-E1-AY
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:8.4mΩ@25A,10V
功率:1W€102W
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:175℃
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
输入电容:3500pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP50P04SDG-E1-AY
栅极电荷:100nC@10V
功率:1.2W€84W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:9.6mΩ@25A,10V
输入电容:5000pF@10V
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:175℃
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS427EDN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
输入电容:1930pF@15V
功率:3.7W€52W
导通电阻:10.6mΩ@11A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7149ADP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
输入电容:5125pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
栅极电荷:135nC@10V
功率:5W€48W
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40131EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
包装方式:卷带(TR)
类型:P-Channel
功率:62W
漏源电压:40V
导通电阻:11.5mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP50P06SDG-E1-AY
栅极电荷:100nC@10V
功率:1.2W€84W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@10V
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
工作温度:175℃
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:16.5mΩ@25A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40081EL_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:9950pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:210nC@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4015SPSQ-13
栅极电荷:91nC@10V
输入电容:4234pF@20V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
功率:2.6W
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@9.8A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP50P06SDG-E1-AY
栅极电荷:100nC@10V
功率:1.2W€84W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@10V
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
工作温度:175℃
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:16.5mΩ@25A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P04-13L_GE3
输入电容:3590pF@20V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:3W€136W
阈值电压:2.5V@250µA
导通电阻:13mΩ@17A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
栅极电荷:90nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7149ADP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
输入电容:5125pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
栅极电荷:135nC@10V
功率:5W€48W
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40081EL_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:9950pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:210nC@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40081EL_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:9950pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:210nC@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P08-25L_GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:137nC@10V
导通电阻:25mΩ@10.5A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
输入电容:5350pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P06-15L_T4GE3
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
导通电阻:15.5mΩ@17A,10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
输入电容:5910pF@25V
栅极电荷:150nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4015SPSQ-13
栅极电荷:91nC@10V
输入电容:4234pF@20V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
功率:2.6W
类型:P沟道
ECCN:EAR99
导通电阻:10mΩ@9.8A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD45P03-12_GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
输入电容:3495pF@15V
阈值电压:2.5V@250µA
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
栅极电荷:83nC@10V
类型:P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P04-13L_GE3
输入电容:3590pF@20V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:3W€136W
阈值电压:2.5V@250µA
导通电阻:13mΩ@17A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
栅极电荷:90nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4015SPSQ-13
栅极电荷:91nC@10V
输入电容:4234pF@20V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
功率:2.6W
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@9.8A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS427EDN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
输入电容:1930pF@15V
功率:3.7W€52W
导通电阻:10.6mΩ@11A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P03-07_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250µA
输入电容:5490pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
栅极电荷:146nC@10V
导通电阻:7mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P04-13L_T4GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3590pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-08-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€73.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:159nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5380pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P-Channel
导通电阻:8.1mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P06-15L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5910pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:15.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P06-15L_T4GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5910pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:15.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P06-15L_T4GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5910pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:15.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P04-13L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3590pF@20V
连续漏极电流:50A
导通电阻:10mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P03-07_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:146nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5490pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM40081EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: