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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4202DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@15V
连续漏极电流：12.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW4N06A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：509pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
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导通电阻：100mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：SI4202DY-T1-GE3
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连续漏极电流：12.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
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类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@3A，10V
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连续漏极电流：4A
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导通电阻：100mΩ@3A，10V
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连续漏极电流：12.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14mΩ@8A，10V
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连续漏极电流：12.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
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功率：3.7W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@15V
连续漏极电流：12.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：12.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
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功率：3.7W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：12.1A
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工作温度：-55℃~150℃
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@15V
连续漏极电流：12.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14mΩ@8A，10V
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连续漏极电流：12.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14mΩ@8A，10V
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输入电容：710pF@15V
连续漏极电流：12.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
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ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@4.5V
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输入电容：509pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
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功率：3.7W
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输入电容：710pF@15V
连续漏极电流：12.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14mΩ@8A，10V
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输入电容：710pF@15V
连续漏极电流：12.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJW4N06A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：509pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4202DY-T1-GE3
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功率：3.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@15V
连续漏极电流：12.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4202DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@15V
连续漏极电流：12.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW4N06A-AU_R2_000A1
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
导通电阻：100mΩ@3A，10V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：5.1nC@4.5V
输入电容：509pF@15V
ECCN：EAR99
功率：3.7W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4202DY-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@15V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：14mΩ@8A，10V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：12.1A
ECCN：EAR99
功率：3.7W
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4202DY-T1-GE3
连续漏极电流：12.1A
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@15V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：14mΩ@8A，10V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：2N沟道（双）
功率：3.7W
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4202DY-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@15V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：14mΩ@8A，10V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：12.1A
ECCN：EAR99
功率：3.7W
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW4N06A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：509pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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