品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4015SPSQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:47.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4234pF@20V
连续漏极电流:8.5A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2319CDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:595pF@20V
连续漏极电流:3.1A€4.4A
类型:P沟道
导通电阻:77mΩ@3.1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-08-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€73.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:159nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5380pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.1mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4447ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@20V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401DDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3007pF@20V
连续漏极电流:16.1A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@10.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4015SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:47.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4234pF@20V
连续漏极电流:8.5A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G07P04S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1750pF@20V
连续漏极电流:7A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4447ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@20V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401DDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3007pF@20V
连续漏极电流:16.1A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@10.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4015SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:47.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4234pF@20V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4015SK3Q-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:47.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4234pF@20V
连续漏极电流:14A€35A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3441_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:505pF@20V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:88mΩ@3.1A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4015SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:47.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4234pF@20V
连续漏极电流:8.5A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4015SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.45W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:47.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4234pF@20V
连续漏极电流:9.1A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-08-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€73.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:159nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5380pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.1mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV250EPEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW€6.25W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@20V
连续漏极电流:1.5A
类型:P沟道
导通电阻:240mΩ@1.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP4015SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:47.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4234pF@20V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401DDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3007pF@20V
连续漏极电流:16.1A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@10.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):45P40
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@20V
连续漏极电流:45A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4485
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401DDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3007pF@20V
连续漏极电流:16.1A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@10.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4447ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@20V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM150P04LCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2783pF@20V
连续漏极电流:22A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-08-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€73.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:159nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5380pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.1mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-08-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€73.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:159nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5380pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.1mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):45P40
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@20V
连续漏极电流:45A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-08-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€73.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:159nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5380pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.1mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50P04-08-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€73.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:159nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5380pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.1mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4447ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:970pF@20V
连续漏极电流:7.2A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):45P40
工作温度:-55℃~150℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@20V
连续漏极电流:45A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: