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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP50020EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：散装
输入电容：11113pF@30V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：22200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP80N06MLG-S18-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€115W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：散装
输入电容：6900pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：22200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP80N06MLG-S18-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€115W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：散装
输入电容：6900pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP50020EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：散装
输入电容：11113pF@30V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：22200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP80N06MLG-S18-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€115W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：散装
输入电容：6900pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002-13-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.23nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIL04P06Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.27nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：505pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP50020EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：散装
输入电容：11113pF@30V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：22200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP80N06MLG-S18-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€115W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：散装
输入电容：6900pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：22200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP80N06MLG-S18-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€115W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：散装
输入电容：6900pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP50020EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：散装
输入电容：11113pF@30V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002-13-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
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包装方式：散装
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002-13-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.23nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP50020EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：散装
输入电容：11113pF@30V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：500psc
规格型号(MPN)：SUP50020EL-GE3
栅极电荷：126nC@10V
输入电容：11113pF@30V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
功率：375W
连续漏极电流：120A
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：500psc
规格型号(MPN)：SUP50020EL-GE3
栅极电荷：126nC@10V
输入电容：11113pF@30V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
功率：375W
连续漏极电流：120A
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP50020EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
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栅极电荷：126nC@10V
包装方式：散装
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连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP50020EL-GE3
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功率：375W
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类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP50020EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
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连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP50020EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
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连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002-13-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@250µA
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包装方式：散装
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连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP50020EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：散装
输入电容：11113pF@30V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP50020EL-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：126nC@10V
包装方式：散装
输入电容：11113pF@30V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
