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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM042N03CS RLG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM042N03CS RLG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM042N03CS RLG

    工作温度:175℃

    功率:7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM042N03CS RLG 起订2500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM042N03CS RLG 起订2500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM042N03CS RLG

    工作温度:175℃

    功率:7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM042N03CS RLG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM042N03CS RLG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM042N03CS RLG

    工作温度:175℃

    功率:7W

    阈值电压:2.5V@250µA

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    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM042N03CS RLG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM042N03CS RLG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM042N03CS RLG

    工作温度:175℃

    功率:7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM042N03CS RLG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM042N03CS RLG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM042N03CS RLG

    工作温度:175℃

    功率:7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ414EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ414EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ414EP-T1_BE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:25nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:12mΩ@4.5A,10V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    输入电容:1110pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA37EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA37EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA37EP-T1_GE3

    栅极电荷:100nC@10V

    输入电容:4900pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    导通电阻:9.2mΩ@6A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    连续漏极电流:30A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ910AEP-T1_BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ910AEP-T1_BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ910AEP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:7mΩ@12A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    连续漏极电流:30A

    输入电容:1869pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ951EP-T1_GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ951EP-T1_GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ951EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:1680pF@10V

    包装方式:卷带(TR)

    类型:2个P沟道(双)

    漏源电压:30V

    功率:56W

    导通电阻:17mΩ@7.5A,10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    连续漏极电流:30A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ914EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ914EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ914EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W

    导通电阻:12mΩ@4.5A,10V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    输入电容:1110pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP3036SFV-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3036SFV-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3036SFV-7

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:1931pF@15V

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    阈值电压:2.5V@250µA

    功率:2.3W

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@8A,10V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ951EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ951EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ951EP-T1_BE3

    输入电容:1680pF@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    功率:56W

    阈值电压:2.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:17mΩ@7.5A,10V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ910AEP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ910AEP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ910AEP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:7mΩ@12A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    连续漏极电流:30A

    输入电容:1869pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ403EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ403EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ403EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    栅极电荷:109nC@10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    功率:68W

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    连续漏极电流:30A

    输入电容:4500pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ951EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ951EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ951EP-T1_GE3

    输入电容:1680pF@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    功率:56W

    阈值电压:2.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:17mΩ@7.5A,10V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM042N03CS RLG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM042N03CS RLG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM042N03CS RLG

    栅极电荷:24nC@4.5V

    功率:7W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:2200pF@25V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:175℃

    导通电阻:4.2mΩ@12A,10V

    连续漏极电流:30A

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4483EY-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4483EY-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4483EY-T1_GE3

    功率:7W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.5V@250µA

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:113nC@10V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:30A

    输入电容:4500pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ403EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ403EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ403EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    栅极电荷:109nC@10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    功率:68W

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    连续漏极电流:30A

    输入电容:4500pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA37EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA37EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA37EP-T1_GE3

    栅极电荷:100nC@10V

    输入电容:4900pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    导通电阻:9.2mΩ@6A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    连续漏极电流:30A

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ910AEP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ910AEP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ910AEP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:7mΩ@12A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    连续漏极电流:30A

    输入电容:1869pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM042N03CS RLG 起订5000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM042N03CS RLG 起订5000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM042N03CS RLG

    工作温度:175℃

    功率:7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:24nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4164DY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4164DY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4164DY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:3545pF@15V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@15A,10V

    栅极电荷:95nC@10V

    功率:3W€6W

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ910AEP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ910AEP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ910AEP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:7mΩ@12A,10V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    输入电容:1869pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ403BEEP-T1_BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ403BEEP-T1_BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ403BEEP-T1_BE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.5V@250µA

    功率:68W

    栅极电荷:164nC@10V

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ951EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ951EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ951EP-T1_GE3

    输入电容:1680pF@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    功率:56W

    阈值电压:2.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:17mΩ@7.5A,10V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP3036SFV-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3036SFV-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3036SFV-13

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:1931pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    功率:2.3W

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@8A,10V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ914EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ914EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ914EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W

    导通电阻:12mΩ@4.5A,10V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    输入电容:1110pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4164DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4164DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4164DY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:3545pF@15V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@15A,10V

    栅极电荷:95nC@10V

    功率:3W€6W

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ403EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ403EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ403EP-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    栅极电荷:109nC@10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    功率:68W

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    类型:P沟道

    连续漏极电流:30A

    输入电容:4500pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ414EP-T1_BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ414EP-T1_BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ414EP-T1_BE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:25nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:12mΩ@4.5A,10V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    输入电容:1110pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

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