品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM042N03CS RLG
工作温度:175℃
功率:7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM042N03CS RLG
工作温度:175℃
功率:7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM042N03CS RLG
工作温度:175℃
功率:7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM042N03CS RLG
工作温度:175℃
功率:7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM042N03CS RLG
工作温度:175℃
功率:7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ414EP-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:25nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:12mΩ@4.5A,10V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
输入电容:1110pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA37EP-T1_GE3
栅极电荷:100nC@10V
输入电容:4900pF@25V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
导通电阻:9.2mΩ@6A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
连续漏极电流:30A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ910AEP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:7mΩ@12A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:30A
输入电容:1869pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ951EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1680pF@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
漏源电压:30V
功率:56W
导通电阻:17mΩ@7.5A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:30A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ914EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
导通电阻:12mΩ@4.5A,10V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
输入电容:1110pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3036SFV-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1931pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
功率:2.3W
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8A,10V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ951EP-T1_BE3
输入电容:1680pF@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:56W
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:17mΩ@7.5A,10V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ910AEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:7mΩ@12A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:30A
输入电容:1869pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ403EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:109nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
功率:68W
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
连续漏极电流:30A
输入电容:4500pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ951EP-T1_GE3
输入电容:1680pF@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:56W
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:17mΩ@7.5A,10V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM042N03CS RLG
栅极电荷:24nC@4.5V
功率:7W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:2200pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:175℃
导通电阻:4.2mΩ@12A,10V
连续漏极电流:30A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4483EY-T1_GE3
功率:7W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250µA
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:113nC@10V
类型:P沟道
连续漏极电流:30A
输入电容:4500pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ403EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:109nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
功率:68W
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
连续漏极电流:30A
输入电容:4500pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA37EP-T1_GE3
栅极电荷:100nC@10V
输入电容:4900pF@25V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
导通电阻:9.2mΩ@6A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
连续漏极电流:30A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ910AEP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:7mΩ@12A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:30A
输入电容:1869pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM042N03CS RLG
工作温度:175℃
功率:7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:24nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4164DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3545pF@15V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@15A,10V
栅极电荷:95nC@10V
功率:3W€6W
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ910AEP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:7mΩ@12A,10V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
输入电容:1869pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ403BEEP-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250µA
功率:68W
栅极电荷:164nC@10V
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ951EP-T1_GE3
输入电容:1680pF@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:56W
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:17mΩ@7.5A,10V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3036SFV-13
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1931pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
功率:2.3W
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8A,10V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ914EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
导通电阻:12mΩ@4.5A,10V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
输入电容:1110pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4164DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3545pF@15V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@15A,10V
栅极电荷:95nC@10V
功率:3W€6W
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ403EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:109nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
功率:68W
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
连续漏极电流:30A
输入电容:4500pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ414EP-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:25nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:12mΩ@4.5A,10V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
输入电容:1110pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存: