品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4425DDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610pF@15V
连续漏极电流:19.7A
类型:P沟道
导通电阻:9.8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7272DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:25A
输入电容:1100pF@15V
导通电阻:9.3mΩ@15A,10V
功率:22W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4134DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N-Channel
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:846pF@15V
功率:2.5W€5W
连续漏极电流:14A
导通电阻:14mΩ
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA471DJ-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:27.8nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:14mΩ@10A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
功率:3.5W€19.2W
连续漏极电流:12.9A€30.3A
类型:P沟道
ECCN:EAR99
输入电容:1170pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4431CDY-T1-E3
输入电容:1006pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
导通电阻:32mΩ@7A,10V
类型:P沟道
功率:4.2W
连续漏极电流:9A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5419DU-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1400pF@15V
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
功率:3.1W€31W
导通电阻:20mΩ@6.6A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2366DS-T1-GE3
连续漏极电流:5.8A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:10nC@10V
功率:1.25W€2.1W
输入电容:335pF@15V
导通电阻:36mΩ@4.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4101DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
功率:6W
输入电容:8190pF@15V
连续漏极电流:25.7A
类型:P沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
栅极电荷:203nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3
栅极电荷:13nC@10V
功率:1.3W€2.5W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@15V
漏源电压:30V
导通电阻:28mΩ@5.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR464DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3545pF@15V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:5.2W€69W
连续漏极电流:50A
栅极电荷:95nC@10V
导通电阻:3.1mΩ@15A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR464DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3545pF@15V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:5.2W€69W
连续漏极电流:50A
栅极电荷:95nC@10V
导通电阻:3.1mΩ@15A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7101DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:102nC@10V
类型:P沟道
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
导通电阻:7.2mΩ@15A,10V
输入电容:3595pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7617DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:59nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:P-Channel
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
导通电阻:12.3mΩ
输入电容:1800pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR464DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3545pF@15V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:5.2W€69W
连续漏极电流:50A
栅极电荷:95nC@10V
导通电阻:3.1mΩ@15A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS427EDN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
输入电容:1930pF@15V
功率:3.7W€52W
导通电阻:10.6mΩ@11A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2347DS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
阈值电压:2.5V@250µA
类型:P沟道
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
输入电容:705pF@15V
导通电阻:42mΩ@3.8A,10V
功率:1.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7617DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:59nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:P沟道
导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
输入电容:1800pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4431CDY-T1-GE3
输入电容:1006pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€4.2W
栅极电荷:38nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
导通电阻:32mΩ@7A,10V
类型:P沟道
连续漏极电流:9A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1539CDL-T1-BE3
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:290mW€340mW
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:700mA€700mA€400mA€500mA
阈值电压:2.5V@250µA
输入电容:28pF@15V€34pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3
栅极电荷:13nC@10V
功率:1.3W€2.5W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@15V
漏源电压:30V
导通电阻:28mΩ@5.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7149ADP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
输入电容:5125pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
栅极电荷:135nC@10V
功率:5W€48W
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5419DU-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1400pF@15V
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
功率:3.1W€31W
导通电阻:20mΩ@6.6A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7998DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:22W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:25A€30A
输入电容:1100pF@15V
导通电阻:9.3mΩ@15A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4134DY-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:14mΩ@10A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:846pF@15V
功率:2.5W€5W
连续漏极电流:14A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA483ADJ-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10.6A€12A
漏源电压:30V
输入电容:950pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
导通电阻:20mΩ@5A,10V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
功率:3.4W€17.9W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1539CDL-T1-BE3
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:290mW€340mW
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:700mA€700mA€400mA€500mA
阈值电压:2.5V@250µA
输入电容:28pF@15V€34pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR464DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3545pF@15V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:5.2W€69W
连续漏极电流:50A
栅极电荷:95nC@10V
导通电阻:3.1mΩ@15A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4101DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
功率:6W
输入电容:8190pF@15V
连续漏极电流:25.7A
类型:P沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
栅极电荷:203nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA483ADJ-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10.6A€12A
漏源电压:30V
输入电容:950pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
导通电阻:20mΩ@5A,10V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
功率:3.4W€17.9W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4134DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:14mΩ@10A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:846pF@15V
功率:2.5W€5W
连续漏极电流:14A
包装清单:商品主体 * 1
库存: