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    品牌: VISHAY
    阈值电压: 2.5V@250µA
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    当前匹配商品:1300+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4425DDY-T1-GE3 起订1250个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4425DDY-T1-GE3 起订1250个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4425DDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2610pF@15V

    连续漏极电流:19.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.8mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7272DP-T1-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7272DP-T1-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7272DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    连续漏极电流:25A

    输入电容:1100pF@15V

    导通电阻:9.3mΩ@15A,10V

    功率:22W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4134DY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4134DY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4134DY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N-Channel

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    输入电容:846pF@15V

    功率:2.5W€5W

    连续漏极电流:14A

    导通电阻:14mΩ

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA471DJ-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA471DJ-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA471DJ-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    栅极电荷:27.8nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    功率:3.5W€19.2W

    连续漏极电流:12.9A€30.3A

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    输入电容:1170pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431CDY-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431CDY-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4431CDY-T1-E3

    输入电容:1006pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:38nC@10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    类型:P沟道

    功率:4.2W

    连续漏极电流:9A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5419DU-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5419DU-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5419DU-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:1400pF@15V

    栅极电荷:45nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    功率:3.1W€31W

    导通电阻:20mΩ@6.6A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2366DS-T1-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2366DS-T1-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2366DS-T1-GE3

    连续漏极电流:5.8A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:10nC@10V

    功率:1.25W€2.1W

    输入电容:335pF@15V

    导通电阻:36mΩ@4.5A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4101DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4101DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4101DY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    功率:6W

    输入电容:8190pF@15V

    连续漏极电流:25.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    栅极电荷:203nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3

    栅极电荷:13nC@10V

    功率:1.3W€2.5W

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@15V

    漏源电压:30V

    导通电阻:28mΩ@5.5A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:6A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR464DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR464DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR464DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:3545pF@15V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    功率:5.2W€69W

    连续漏极电流:50A

    栅极电荷:95nC@10V

    导通电阻:3.1mΩ@15A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR464DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR464DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR464DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:3545pF@15V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    功率:5.2W€69W

    连续漏极电流:50A

    栅极电荷:95nC@10V

    导通电阻:3.1mΩ@15A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7101DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7101DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7101DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:102nC@10V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:35A

    功率:3.7W€52W

    导通电阻:7.2mΩ@15A,10V

    输入电容:3595pF@15V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7617DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7617DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7617DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:59nC@10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:P-Channel

    连续漏极电流:35A

    功率:3.7W€52W

    导通电阻:12.3mΩ

    输入电容:1800pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR464DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR464DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR464DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:3545pF@15V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    功率:5.2W€69W

    连续漏极电流:50A

    栅极电荷:95nC@10V

    导通电阻:3.1mΩ@15A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS427EDN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS427EDN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS427EDN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:66nC@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    输入电容:1930pF@15V

    功率:3.7W€52W

    导通电阻:10.6mΩ@11A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2347DS-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2347DS-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:5A

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:P沟道

    栅极电荷:22nC@10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:705pF@15V

    导通电阻:42mΩ@3.8A,10V

    功率:1.7W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7617DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7617DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7617DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:59nC@10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:P沟道

    导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V

    连续漏极电流:35A

    功率:3.7W€52W

    输入电容:1800pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431CDY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431CDY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4431CDY-T1-GE3

    输入电容:1006pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€4.2W

    栅极电荷:38nC@10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:9A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1539CDL-T1-BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1539CDL-T1-BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1539CDL-T1-BE3

    类型:N和P沟道

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    功率:290mW€340mW

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:700mA€700mA€400mA€500mA

    阈值电压:2.5V@250µA

    输入电容:28pF@15V€34pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3

    栅极电荷:13nC@10V

    功率:1.3W€2.5W

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@15V

    漏源电压:30V

    导通电阻:28mΩ@5.5A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:6A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7149ADP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7149ADP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7149ADP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    输入电容:5125pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    栅极电荷:135nC@10V

    功率:5W€48W

    导通电阻:5.2mΩ@15A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5419DU-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5419DU-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5419DU-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:1400pF@15V

    栅极电荷:45nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    功率:3.1W€31W

    导通电阻:20mΩ@6.6A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7998DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7998DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7998DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:22W€40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:2N沟道(双)

    连续漏极电流:25A€30A

    输入电容:1100pF@15V

    导通电阻:9.3mΩ@15A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4134DY-T1-E3 起订8个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4134DY-T1-E3 起订8个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4134DY-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:23nC@10V

    输入电容:846pF@15V

    功率:2.5W€5W

    连续漏极电流:14A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA483ADJ-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA483ADJ-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA483ADJ-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10.6A€12A

    漏源电压:30V

    输入电容:950pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    导通电阻:20mΩ@5A,10V

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    功率:3.4W€17.9W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1539CDL-T1-BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1539CDL-T1-BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1539CDL-T1-BE3

    类型:N和P沟道

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    功率:290mW€340mW

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:700mA€700mA€400mA€500mA

    阈值电压:2.5V@250µA

    输入电容:28pF@15V€34pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR464DP-T1-GE3 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR464DP-T1-GE3 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR464DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:3545pF@15V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    功率:5.2W€69W

    连续漏极电流:50A

    栅极电荷:95nC@10V

    导通电阻:3.1mΩ@15A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4101DY-T1-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4101DY-T1-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4101DY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    功率:6W

    输入电容:8190pF@15V

    连续漏极电流:25.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    栅极电荷:203nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA483ADJ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA483ADJ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA483ADJ-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10.6A€12A

    漏源电压:30V

    输入电容:950pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    导通电阻:20mΩ@5A,10V

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    功率:3.4W€17.9W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4134DY-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4134DY-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4134DY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:23nC@10V

    输入电容:846pF@15V

    功率:2.5W€5W

    连续漏极电流:14A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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