首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    阈值电压: 2.5V@250µA
    连续漏极电流: 40A
    当前匹配商品:200+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ443EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2030pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06D52 起订2个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06D52 起订2个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT090N06D52

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1011pF@30V

    连续漏极电流:40A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:14mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP40NF10L 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STP40NF10L 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP40NF10L

    工作温度:175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:64nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:2300pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB40NF10LT4 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB40NF10LT4 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB40NF10LT4

    工作温度:-65℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:64nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT060N04D3 起订5000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT060N04D3 起订5000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT060N04D3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:24W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1282pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ443EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2030pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR422DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR422DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR422DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€34.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1785pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL76DN4LF7AG 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STL76DN4LF7AG 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL76DN4LF7AG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:956pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR422DP-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR422DP-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR422DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€34.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1785pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR422DP-T1-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR422DP-T1-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR422DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€34.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1785pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP40NF10L 起订250个装
    ST Mosfet场效应管 STP40NF10L 起订250个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP40NF10L

    工作温度:175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:64nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:2300pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP40NF10L 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STP40NF10L 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP40NF10L

    工作温度:175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:64nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:2300pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7139DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7139DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7139DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:146nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR422DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR422DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR422DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€34.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1785pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP40NF03L 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STP40NF03L 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP40NF03L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T2_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T2_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ443EP-T2_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2030pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR422DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR422DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR422DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€34.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1785pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ443EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2030pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ443EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2030pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40P10-40L_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40P10-40L_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM40P10-40L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:134nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5295pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@17A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7139DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7139DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7139DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:146nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP40NF03L 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STP40NF03L 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP40NF03L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB40NF10LT4 起订250个装
    ST Mosfet场效应管 STB40NF10LT4 起订250个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB40NF10LT4

    工作温度:-65℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:64nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40N06-14L_GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40N06-14L_GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40N06-14L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2105pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T2_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T2_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ443EP-T2_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2030pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP40NF10L 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STP40NF10L 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP40NF10L

    工作温度:175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:64nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:2300pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT060N04D3 起订100个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT060N04D3 起订100个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT060N04D3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:24W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1282pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR422DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR422DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR422DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€34.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1785pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7139DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7139DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7139DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:146nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40N10-25_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40N10-25_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40N10-25_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3380pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧