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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM036N03PQ56 RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM036N03PQ56 RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM036N03PQ56 RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2530pF@15V

    连续漏极电流:124A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@22A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4408P_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4408P_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4408P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€35W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:763pF@25V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订10个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订10个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4466

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:448pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订25个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订25个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4466

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:448pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4410P_R2_00001 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4410P_R2_00001 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4410P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€27W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:10A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:12Ω@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    UMW Mosfet场效应管 30N03A
    UMW Mosfet场效应管 30N03A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):30N03A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:105W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1963pF@15V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订250个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4466 起订250个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4466

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:448pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4408P_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4408P_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4408P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€35W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:763pF@25V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4408P_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4408P_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4408P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€35W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:763pF@25V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4408P-AU_R2_000A1 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4408P-AU_R2_000A1 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4408P-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€35W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:763pF@25V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4410P_R2_00001 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4410P_R2_00001 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4410P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€27W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:10A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:12Ω@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4414P_R2_00001 起订2000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4414P_R2_00001 起订2000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4414P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€21W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:392pF@25V

    连续漏极电流:8A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:2000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N03PQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N03PQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2557pF@15V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM033NA03CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM033NA03CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM033NA03CR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1850pF@15V

    连续漏极电流:129A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@21A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    UMW Mosfet场效应管 100N03A 起订1000个装
    UMW Mosfet场效应管 100N03A 起订1000个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):100N03A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:105W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1963pF@15V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4408P_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4408P_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4408P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€35W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:763pF@25V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4410P_R2_00001 起订2000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4410P_R2_00001 起订2000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4410P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€27W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:10A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:12Ω@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4408P-AU_R2_000A1 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4408P-AU_R2_000A1 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4408P-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€35W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:763pF@25V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    UMW Mosfet场效应管 100N03A 起订500个装
    UMW Mosfet场效应管 100N03A 起订500个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):100N03A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:105W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1963pF@15V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N03PQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N03PQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2557pF@15V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4404P_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4404P_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4404P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€31W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1323pF@25V

    连续漏极电流:15A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM080N03PQ56 RLG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM080N03PQ56 RLG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM080N03PQ56 RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:843pF@15V

    连续漏极电流:73A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM080N03PQ56 RLG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM080N03PQ56 RLG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM080N03PQ56 RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:843pF@15V

    连续漏极电流:73A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM080N03PQ56 RLG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM080N03PQ56 RLG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM080N03PQ56 RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:843pF@15V

    连续漏极电流:73A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4408P_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4408P_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4408P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€35W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:763pF@25V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4408P_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4408P_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4408P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€35W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:763pF@25V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    UMW Mosfet场效应管 AO4466
    UMW Mosfet场效应管 AO4466

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4466

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:448pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM060N03PQ33 RGG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM060N03PQ33 RGG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM060N03PQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1342pF@15V

    连续漏极电流:62A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM055N03EPQ56 RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM055N03EPQ56 RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM055N03EPQ56 RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:11.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1210pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4408P_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4408P_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4408P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€35W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:763pF@25V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:10
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