品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM036N03PQ56 RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@15V
连续漏极电流:124A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4408P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4466
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4466
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4410P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€27W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:10A€35A
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):30N03A
工作温度:-55℃~150℃
功率:105W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1963pF@15V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4466
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4408P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4408P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4408P-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4410P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€27W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:10A€35A
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4414P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€21W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:392pF@25V
连续漏极电流:8A€25A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2557pF@15V
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM033NA03CR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@15V
连续漏极电流:129A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):100N03A
工作温度:-55℃~150℃
功率:105W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1963pF@15V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4408P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4410P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€27W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:10A€35A
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4408P-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):100N03A
工作温度:-55℃~150℃
功率:105W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1963pF@15V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2557pF@15V
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4404P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€31W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1323pF@25V
连续漏极电流:15A€60A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM080N03PQ56 RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:843pF@15V
连续漏极电流:73A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM080N03PQ56 RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:843pF@15V
连续漏极电流:73A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM080N03PQ56 RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:843pF@15V
连续漏极电流:73A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4408P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4408P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4466
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM060N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1342pF@15V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM055N03EPQ56 RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:11.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1210pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4408P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: