品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD50P04-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2767pF@25V
连续漏极电流:9A€50A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD50P04-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2767pF@25V
连续漏极电流:9A€50A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD50P04-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2767pF@25V
连续漏极电流:9A€50A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD50P04-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2767pF@25V
连续漏极电流:9A€50A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD50P04-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2767pF@25V
连续漏极电流:9A€50A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD50P04-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2767pF@25V
连续漏极电流:9A€50A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD50P04-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2767pF@25V
连续漏极电流:9A€50A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SQM40031EL_GE3
栅极电荷:800nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
功率:375W
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
输入电容:39000pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ423EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:130nC@10V
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:55A
功率:68W
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
输入电容:4500pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SQM40061EL_GE3
输入电容:14500pF@25V
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
导通电阻:5.1mΩ@30A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
类型:P沟道
连续漏极电流:100A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4401EY-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@20V
连续漏极电流:17.3A
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:115nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:14mΩ@10.5A,10V
类型:P沟道
功率:7.14W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ409EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
功率:68W
导通电阻:7mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
输入电容:11000pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD40151EL-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:42A
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
功率:50W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:12mΩ@17.5A,10V
类型:P沟道
栅极电荷:112nC@10V
输入电容:5340pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SQM120P04-04L_GE3
栅极电荷:330nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
导通电阻:4mΩ@30A,10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:13980pF@20V
类型:P沟道
功率:375W
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40131EL_GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:62W
漏源电压:40V
输入电容:6600pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
导通电阻:11.5mΩ@30A,10V
栅极电荷:115nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ443EP-T1_BE3
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:2030pF@20V
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:57nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@18A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40081EL_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:9950pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:210nC@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4015SSS-13
栅极电荷:91nC@10V
输入电容:4234pF@20V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:11.4A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:11mΩ@9.8A,10V
功率:1.8W
类型:P沟道
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SQM40061EL_GE3
输入电容:14500pF@25V
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
导通电阻:5.1mΩ@30A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
类型:P沟道
连续漏极电流:100A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4015SPSQ-13
栅极电荷:91nC@10V
输入电容:4234pF@20V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
功率:2.6W
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@9.8A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2389ES-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:4.1A
栅极电荷:12nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:94mΩ@10A,10V
功率:3W
输入电容:420pF@20V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ423EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:130nC@10V
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:55A
功率:68W
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
输入电容:4500pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ147ELP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:5500pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
功率:183W
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
导通电阻:12.5mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SQM120P04-04L_GE3
栅极电荷:330nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
导通电阻:4mΩ@30A,10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:13980pF@20V
类型:P沟道
功率:375W
连续漏极电流:120A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P04-13L_GE3
输入电容:3590pF@20V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
功率:3W€136W
阈值电压:2.5V@250µA
导通电阻:13mΩ@17A,10V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
栅极电荷:90nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS401EN-T1_BE3
输入电容:1875pF@20V
包装方式:卷带(TR)
功率:62.5W
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@12A,10V
栅极电荷:21.2nC@4.5V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ409EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:260nC@10V
功率:68W
导通电阻:7mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
输入电容:11000pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4015SSS-13
栅极电荷:91nC@10V
输入电容:4234pF@20V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:11.4A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:11mΩ@9.8A,10V
功率:1.8W
类型:P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2389ES-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:4.1A
栅极电荷:12nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:94mΩ@10A,10V
功率:3W
输入电容:420pF@20V
类型:P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SQM40031EL_GE3
栅极电荷:800nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
功率:375W
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
输入电容:39000pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: