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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4937EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：75mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ951EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：17mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4937EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：75mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ4937EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：75mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3987EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.67W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：133mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ3987EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.67W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：133mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ951EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：17mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ4949EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：35mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ951EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：17mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SQJ951EP-T1_BE3
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功率：56W
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ECCN：EAR99
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输入电容：1680pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：17mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ951EP-T1_BE3
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功率：56W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：17mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ951EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：17mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SQ3987EV-T1_GE3
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功率：1.67W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：133mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：56W
阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：1680pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：17mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ4949EY-T1_BE3
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功率：3.3W
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输入电容：1020pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：35mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ951EP-T1_GE3
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阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：17mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~175℃
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输入电容：1680pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：17mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ4949EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
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输入电容：1020pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：35mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ951EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：17mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4949EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：35mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4937EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：75mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ4949EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：35mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4949EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：35mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ951EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：17mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4937EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：75mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3987EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.67W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：133mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3987EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.67W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：133mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ951EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：17mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3987EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.67W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：133mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4949EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：35mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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