品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6017LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1922AEEH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:850mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:300mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6017LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6017LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1922AEEH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:850mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:300mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7110DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@21.1A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6015LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18.9nC@30V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1103pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6016LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G02P06
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:573pF@30V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:190mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT35M4LFVW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:16.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:982pF@15V
连续漏极电流:16A€60A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7110DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@21.1A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:10.3A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7110DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:21nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@21.1A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6016LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:10.3A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:10.3A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6016LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G02P06
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:573pF@30V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:190mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7116DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@16.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6016LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1922AEEH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:850mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:300mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7116DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@16.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6015LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18.9nC@30V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1103pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6015LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:18.9nC@30V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1103pF@30V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:10.3A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7611
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@15V
连续漏极电流:9A€18.5A
类型:N和P沟道,共漏
导通电阻:50mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:10.3A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:10.3A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7116DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@16.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7116DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@16.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: