采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40031EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP160N3LL
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@60A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50P03-07_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5490pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40031EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40031EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40031EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50P03-07_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5490pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40031EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50P03-07_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5490pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50P03-07_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5490pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40031EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40031EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：125000，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP160N3LL
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@60A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：125000，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP160N3LL
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@60A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40031EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40031EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40031EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40031EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40031EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40031EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40031EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40031EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40031EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP160N3LL
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@60A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40031EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40031EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40031EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40031EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15000pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP160N3LL
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：42nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：3500pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@60A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50P03-07_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5490pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
