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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ420EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ420EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
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漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：SQJ420EP-T1_GE3
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功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ420EP-T1_GE3
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功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
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输入电容：1860pF@25V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQS850EN-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2021pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：21.5mΩ@6.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
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输入电容：2021pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
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漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ420EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1860pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
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输入电容：1860pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，10V
漏源电压：40V
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功率：45W
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类型：N沟道
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功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
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输入电容：1860pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，10V
漏源电压：40V
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功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
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输入电容：1860pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：SQS850EN-T1_GE3
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功率：33W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2021pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：21.5mΩ@6.1A，10V
漏源电压：60V
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功率：33W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
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输入电容：2021pF@30V
连续漏极电流：12A
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导通电阻：21.5mΩ@6.1A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ420EP-T1_GE3
包装方式：卷带（TR）
功率：45W
漏源电压：40V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：10mΩ@9.7A，10V
输入电容：1860pF@25V
连续漏极电流：30A
栅极电荷：41nC@10V
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行业应用：工业,汽车
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功率：45W
漏源电压：40V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：10mΩ@9.7A，10V
输入电容：1860pF@25V
连续漏极电流：30A
栅极电荷：41nC@10V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ420EP-T1_GE3
包装方式：卷带（TR）
功率：45W
漏源电压：40V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：10mΩ@9.7A，10V
输入电容：1860pF@25V
连续漏极电流：30A
栅极电荷：41nC@10V
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功率：33W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2021pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：21.5mΩ@6.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS850EN-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2021pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：21.5mΩ@6.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQS850EN-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
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输入电容：2021pF@30V
连续漏极电流：12A
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导通电阻：21.5mΩ@6.1A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS850EN-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2021pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：21.5mΩ@6.1A，10V
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