品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD95N4LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD95N4LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40N10-25_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3380pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40N10-25_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3380pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40N10-25_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3380pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD95N4LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40N10-25_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3380pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40N10-25_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3380pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD95N4LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40N10-25_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3380pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD95N4LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD40N10-25_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3380pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD95N4LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD95N4LF3
功率:110W
栅极电荷:70nC@10V
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:2500pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@40A,10V
工作温度:-55℃~175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:8.9mΩ@15A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
输入电容:2950pF@25V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
连续漏极电流:50A
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N10-8M9L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD95N4LF3
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: