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    阈值电压: 2.5V@250µA
    工作温度: -55℃~175℃
    类型: N沟道
    漏源电压: 30V
    当前匹配商品:500+
    商品信息
    参数
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ414EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ414EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ414EP-T1_BE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:25nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:12mΩ@4.5A,10V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    输入电容:1110pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4810NH-1G 起订1036个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4810NH-1G 起订1036个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"06+":590,"08+":3075}

    规格型号(MPN):NTD4810NH-1G

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:管件

    功率:1.28W€50W

    连续漏极电流:9A€54A

    导通电阻:10mΩ@30A,10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:1225pF@12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NH-35G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NH-35G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"08+":3908,"09+":10547}

    规格型号(MPN):NTD4813NH-35G

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:13mΩ@30A,10V

    输入电容:940pF@12V

    包装方式:管件

    连续漏极电流:7.6A€40A

    栅极电荷:10nC@4.5V

    ECCN:EAR99

    功率:1.27W€35.3W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4410EY-T1_GE3

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:2385pF@25V

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:15A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB50ENEX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB50ENEX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB50ENEX

    输入电容:271pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:6.9A

    导通电阻:43mΩ@5.1A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:10nC@10V

    功率:1.9W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP8896 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP8896 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):FDP8896

    漏源电压:30V

    输入电容:2525pF@15V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    包装方式:管件

    连续漏极电流:16A€92A

    导通电阻:5.9mΩ@35A,10V

    栅极电荷:67nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8874 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8874 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8874

    功率:110W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:5.1mΩ@35A,10V

    连续漏极电流:18A€116A

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:72nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:2990pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3410EV-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3410EV-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3410EV-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    输入电容:1005pF@15V

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:21nC@10V

    连续漏极电流:8A

    导通电阻:17.5mΩ@5A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NH-35G 起订2004个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NH-35G 起订2004个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"08+":3908,"09+":10547}

    规格型号(MPN):NTD4813NH-35G

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:13mΩ@30A,10V

    输入电容:940pF@12V

    包装方式:管件

    连续漏极电流:7.6A€40A

    栅极电荷:10nC@4.5V

    ECCN:EAR99

    功率:1.27W€35.3W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8882 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8882 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8882

    导通电阻:11.5mΩ@35A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    栅极电荷:33nC@10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:1260pF@15V

    功率:55W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:12.6A€55A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB8870 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB8870 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1600}

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):FDB8870

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:3.9mΩ@35A,10V

    功率:160W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:132nC@10V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:5200pF@15V

    连续漏极电流:23A€160A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS482EN-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS482EN-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS482EN-T1_GE3

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:1865pF@25V

    导通电阻:8.5mΩ@16.4A,10V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:16A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D72-30EX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D72-30EX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6D72-30EX

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    栅极电荷:3.3nC@10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    功率:2W€15W

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:100pF@15V

    连续漏极电流:4A€11A

    ECCN:EAR99

    导通电阻:72mΩ@4A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813N-35G 起订1886个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813N-35G 起订1886个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"12+":6150}

    规格型号(MPN):NTD4813N-35G

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:13mΩ@30A,10V

    栅极电荷:7.9nC@4.5V

    包装方式:管件

    连续漏极电流:7.6A€40A

    ECCN:EAR99

    输入电容:860pF@12V

    功率:1.27W€35.3W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D22-30EX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D22-30EX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6D22-30EX

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:7.2A€22A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W€19W

    输入电容:440pF@15V

    导通电阻:22mΩ@7.2A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ130EL-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ130EL-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ130EL-T1_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    栅极电荷:455nC@10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:445A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:600W

    导通电阻:0.52mΩ@20A,10V

    输入电容:23345pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4815NT4G 起订792个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4815NT4G 起订792个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"06+":2100,"07+":2500,"11+":6200,"12+":2500}

    规格型号(MPN):NTD4815NT4G

    功率:1.26W€32.6W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    栅极电荷:6.6nC@4.5V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@30A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:770pF@12V

    连续漏极电流:6.9A€35A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4410EY-T1_BE3

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:2385pF@25V

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:15A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4410EY-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4410EY-T1_BE3

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:2385pF@25V

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:15A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4965N-35G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4965N-35G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4965N-35G

    漏源电压:30V

    导通电阻:4.7mΩ@30A,10V

    栅极电荷:17.2nC@4.5V

    连续漏极电流:13A€68A

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:管件

    输入电容:1710pF@15V

    功率:1.39W€38.5W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCU80N03A-TP 起订500个装
    MCC Mosfet场效应管 MCU80N03A-TP 起订500个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCU80N03A-TP

    导通电阻:5.5mΩ@20A,10V

    连续漏极电流:80A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:52.8nC@10V

    输入电容:2150pF@15V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4805NT4G 起订677个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4805NT4G 起订677个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4805NT4G

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:12.7A€95A

    输入电容:2865pF@12V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    功率:1.41W€79W

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:5mΩ@30A,10V

    栅极电荷:48nC@11.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D22-30EX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D22-30EX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6D22-30EX

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:7.2A€22A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W€19W

    ECCN:EAR99

    输入电容:440pF@15V

    导通电阻:22mΩ@7.2A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D22-30EX 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6D22-30EX 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6D22-30EX

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:7.2A€22A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W€19W

    ECCN:EAR99

    输入电容:440pF@15V

    导通电阻:22mΩ@7.2A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV15ENEAR 起订14个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV15ENEAR 起订14个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV15ENEAR

    功率:700mW€8.3W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:20mΩ@5.8A,10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:6.2A

    ECCN:EAR99

    输入电容:440pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCU80N03-TP 起订500个装
    MCC Mosfet场效应管 MCU80N03-TP 起订500个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCU80N03-TP

    连续漏极电流:80A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    栅极电荷:28nC@10V

    输入电容:1600pF@15V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    功率:70W

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:4mΩ@18A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCQ18N03-TP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 MCQ18N03-TP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCQ18N03-TP

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:18A

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:42nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:1950pF@15V

    导通电阻:5mΩ@18A,10V

    功率:2.5W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ414EP-T1_BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ414EP-T1_BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ414EP-T1_BE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:25nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:12mΩ@4.5A,10V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    输入电容:1110pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN25ENEAX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN25ENEAX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN25ENEAX

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6.4A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:667mW€7.5W

    连续漏极电流:6.4A

    ECCN:EAR99

    输入电容:440pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4969N-35G 起订1781个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4969N-35G 起订1781个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):75psc

    规格型号(MPN):NTD4969N-35G

    导通电阻:9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:9.4A€41A

    阈值电压:2.5V@250µA

    输入电容:837pF@15V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:管件

    功率:1.38W€26.3W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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