品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ414EP-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:25nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:12mΩ@4.5A,10V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
输入电容:1110pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"06+":590,"08+":3075}
规格型号(MPN):NTD4810NH-1G
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:管件
功率:1.28W€50W
连续漏极电流:9A€54A
导通电阻:10mΩ@30A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:1225pF@12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"08+":3908,"09+":10547}
规格型号(MPN):NTD4813NH-35G
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:13mΩ@30A,10V
输入电容:940pF@12V
包装方式:管件
连续漏极电流:7.6A€40A
栅极电荷:10nC@4.5V
ECCN:EAR99
功率:1.27W€35.3W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4410EY-T1_GE3
导通电阻:12mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:2385pF@25V
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:15A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB50ENEX
输入电容:271pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:6.9A
导通电阻:43mΩ@5.1A,10V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:10nC@10V
功率:1.9W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FDP8896
漏源电压:30V
输入电容:2525pF@15V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
包装方式:管件
连续漏极电流:16A€92A
导通电阻:5.9mΩ@35A,10V
栅极电荷:67nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8874
功率:110W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:5.1mΩ@35A,10V
连续漏极电流:18A€116A
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:72nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:2990pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3410EV-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:1005pF@15V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:21nC@10V
连续漏极电流:8A
导通电阻:17.5mΩ@5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"08+":3908,"09+":10547}
规格型号(MPN):NTD4813NH-35G
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:13mΩ@30A,10V
输入电容:940pF@12V
包装方式:管件
连续漏极电流:7.6A€40A
栅极电荷:10nC@4.5V
ECCN:EAR99
功率:1.27W€35.3W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8882
导通电阻:11.5mΩ@35A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:33nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1260pF@15V
功率:55W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:12.6A€55A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1600}
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB8870
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:3.9mΩ@35A,10V
功率:160W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:132nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:5200pF@15V
连续漏极电流:23A€160A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS482EN-T1_GE3
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:62W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1865pF@25V
导通电阻:8.5mΩ@16.4A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6D72-30EX
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:3.3nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:2W€15W
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:100pF@15V
连续漏极电流:4A€11A
ECCN:EAR99
导通电阻:72mΩ@4A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"12+":6150}
规格型号(MPN):NTD4813N-35G
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:13mΩ@30A,10V
栅极电荷:7.9nC@4.5V
包装方式:管件
连续漏极电流:7.6A€40A
ECCN:EAR99
输入电容:860pF@12V
功率:1.27W€35.3W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6D22-30EX
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:7.2A€22A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W€19W
输入电容:440pF@15V
导通电阻:22mΩ@7.2A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ130EL-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:455nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:445A
工作温度:-55℃~175℃
功率:600W
导通电阻:0.52mΩ@20A,10V
输入电容:23345pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"06+":2100,"07+":2500,"11+":6200,"12+":2500}
规格型号(MPN):NTD4815NT4G
功率:1.26W€32.6W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:6.6nC@4.5V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:770pF@12V
连续漏极电流:6.9A€35A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4410EY-T1_BE3
导通电阻:12mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:2385pF@25V
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:15A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4410EY-T1_BE3
导通电阻:12mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:2385pF@25V
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:15A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4965N-35G
漏源电压:30V
导通电阻:4.7mΩ@30A,10V
栅极电荷:17.2nC@4.5V
连续漏极电流:13A€68A
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:管件
输入电容:1710pF@15V
功率:1.39W€38.5W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU80N03A-TP
导通电阻:5.5mΩ@20A,10V
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:52.8nC@10V
输入电容:2150pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4805NT4G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:12.7A€95A
输入电容:2865pF@12V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:1.41W€79W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:5mΩ@30A,10V
栅极电荷:48nC@11.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6D22-30EX
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:7.2A€22A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W€19W
ECCN:EAR99
输入电容:440pF@15V
导通电阻:22mΩ@7.2A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6D22-30EX
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:7.2A€22A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W€19W
ECCN:EAR99
输入电容:440pF@15V
导通电阻:22mΩ@7.2A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV15ENEAR
功率:700mW€8.3W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:20mΩ@5.8A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:6.2A
ECCN:EAR99
输入电容:440pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU80N03-TP
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:28nC@10V
输入电容:1600pF@15V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:70W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:4mΩ@18A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCQ18N03-TP
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:18A
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:42nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1950pF@15V
导通电阻:5mΩ@18A,10V
功率:2.5W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ414EP-T1_BE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
栅极电荷:25nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:12mΩ@4.5A,10V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
输入电容:1110pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN25ENEAX
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.4A,10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
连续漏极电流:6.4A
ECCN:EAR99
输入电容:440pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):75psc
规格型号(MPN):NTD4969N-35G
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
连续漏极电流:9.4A€41A
阈值电压:2.5V@250µA
输入电容:837pF@15V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:管件
功率:1.38W€26.3W
包装清单:商品主体 * 1
库存: