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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20N06D52
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1326pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20N06D52
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1326pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20N06D52
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1326pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20N06D52
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1326pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20N06D52
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1326pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20N06D52
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1326pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20N06D52
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1326pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ910AEP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：7mΩ@12A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：30A
输入电容：1869pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB60EP-T1_GE3
导通电阻：12mΩ@10A，10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
类型：2N沟道（双）
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：30A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ990EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@25V€650pF@25V
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：34A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ974EP-T1_BE3
包装方式：卷带（TR）
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
类型：2N沟道（双）
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：25.5mΩ@10A，10V
输入电容：1050pF@25V
连续漏极电流：30A
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ910AEP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：7mΩ@12A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：30A
输入电容：1869pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB80EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
类型：2N沟道（双）
漏源电压：80V
连续漏极电流：30A
导通电阻：19mΩ@8A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ910AEP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：7mΩ@12A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：30A
输入电容：1869pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ974EP-T1_GE3
包装方式：卷带（TR）
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：25.5mΩ@10A，10V
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1050pF@25V
连续漏极电流：30A
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB60EP-T1_GE3
导通电阻：12mΩ@10A，10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
类型：2N沟道（双）
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：30A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB80EP-T1_GE3
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
类型：2N沟道（双）
漏源电压：80V
导通电阻：19mΩ@8A，10V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：30A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ910AEP-T1_GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
类型：2N沟道（双）
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：7mΩ@12A，10V
连续漏极电流：30A
ECCN：EAR99
输入电容：1869pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB80EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：15.5mΩ
功率：48W
漏源电压：80V
连续漏极电流：30A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ974EP-T1_GE3
包装方式：卷带（TR）
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：25.5mΩ@10A，10V
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1050pF@25V
连续漏极电流：30A
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB80EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：15.5mΩ
功率：48W
漏源电压：80V
连续漏极电流：30A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20N06D52
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：20A
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1326pF@30V
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
类型：2N沟道（双）
漏源电压：60V
导通电阻：30mΩ@20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB80EP-T1_GE3
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
类型：2N沟道（双）
漏源电压：80V
导通电阻：19mΩ@8A，10V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：30A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ990EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@25V€650pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB60EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ910AEP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1869pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB60EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB80EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：30A
导通电阻：15.5mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ974EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@25V
连续漏极电流：30A
导通电阻：25.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ974EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@25V
连续漏极电流：30A
导通电阻：25.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
