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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R199CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：3.5V@660µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@100V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@9.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPB60R199CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：3.5V@660µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@100V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@9.9A，10V
漏源电压：600V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPB60R199CPATMA1
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功率：139W
阈值电压：3.5V@660µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@100V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@9.9A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPL60R199CPAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：139W
阈值电压：3.5V@660µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@100V
连续漏极电流：16.4A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@9.9A，10V
漏源电压：600V
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功率：139W
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栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@100V
连续漏极电流：16.4A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@9.9A，10V
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输入电容：1520pF@100V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
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栅极电荷：32nC@10V
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连续漏极电流：16.4A
类型：N沟道
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功率：139W
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