采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1NK60-1
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1NK60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：11278，"MI+"：15120}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU2N50BTU-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：3.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：5.3Ω@800mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1NK60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1HNK60
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1HNK60
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1NK60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1HNK60
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1NK60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1HNK60
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1NK60-1
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1NK60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ1HNK60R-AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ1HNK60R-AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1HNK60
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1NK60-1
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ1HNK60R-AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1NK60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1NK60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1HNK60
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1HNK60
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1NK60-1
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1NK60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1HNK60
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ1HNK60R-AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1HNK60
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1HNK60
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ1HNK60R-AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：1524
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN1HNK60
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD1NK60-1
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：156pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
