品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RX3G07CGNC16
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RX3G07CGNC16
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RX3G07CGNC16
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RX3G07CGNC16
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK4R3A06PL,S4X
工作温度:175℃
功率:36W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3280pF@30V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RX3G07CGNC16
工作温度:150℃
漏源电压:40V
连续漏极电流:70A
阈值电压:2.5V@500µA
类型:N沟道
功率:78W
包装方式:管件
栅极电荷:32nC@10V
输入电容:2410pF@20V
导通电阻:4.7mΩ@70A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK4R3A06PL,S4X
工作温度:175℃
功率:36W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3280pF@30V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7R4A10PL,S4X
工作温度:175℃
功率:42W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2800pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RX3G07CGNC16
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RX3G07CGNC16
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK4R3E06PL,S1X
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3280pF@30V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK4R3E06PL,S1X
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.5V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3280pF@30V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RX3G07CGNC16
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RX3G07CGNC16
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: