品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR878BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@50V
连续漏极电流:12A€42.5A
类型:N沟道
导通电阻:14.4mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS46DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2140pF@50V
连续漏极电流:12.5A€45.3A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS46DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2140pF@50V
连续漏极电流:12.5A€45.3A
类型:N沟道
导通电阻:12.8mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6292
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.3W€156W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3830pF@50V
连续漏极电流:24A€85A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR878BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@50V
连续漏极电流:12A€42.5A
类型:N沟道
导通电阻:14.4mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6290
功率:208W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:85A
类型:N-Channel
导通电阻:4.6mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19533Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€96W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2670pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR106DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:83.3W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:65.8A
类型:N-Channel
导通电阻:6.6mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6298
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.4W€78W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1307pF@50V
连续漏极电流:14.5A€46A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6290
功率:208W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:85A
类型:N-Channel
导通电阻:4.6mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6298
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.4W€78W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1307pF@50V
连续漏极电流:14.5A€46A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6298
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.4W€78W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1307pF@50V
连续漏极电流:14.5A€46A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR668DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@50V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR668DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@50V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR106DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:83.3W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:65.8A
类型:N-Channel
导通电阻:6.6mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR106DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:83.3W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:65.8A
类型:N-Channel
导通电阻:6.6mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6290
功率:208W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:85A
类型:N-Channel
导通电阻:4.6mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR878BDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1850pF@50V
连续漏极电流:12A€42.5A
类型:N沟道
导通电阻:14.4mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR668DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:83nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@50V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR668DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@50V
连续漏极电流:23.2A€95A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR668DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:95A
导通电阻:5.05mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19533Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€96W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2670pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@50V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: