品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H854NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€68W
阈值电压:4V@45µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:9.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H852NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€54W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@40V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:14.2mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H852NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€54W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@40V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:14.2mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA041N04NGXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:35W
阈值电压:4V@45µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4500pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H854NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€68W
阈值电压:4V@45µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:9.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP041N04NGXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:4V@45µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4500pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H854NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€68W
阈值电压:4V@45µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:9.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H852NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€54W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@40V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:14.2mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H854NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€68W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:9.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H854NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€68W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:9.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP041N04NGXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4500pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP041N04NGXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4500pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP041N04NGXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4500pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H854NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€68W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:9.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP041N04NGXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:4V@45µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4500pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H854NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€68W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:9.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H854NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€68W
阈值电压:4V@45µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:9.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H854NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€68W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:9.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H854NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€68W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:9.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP041N04NGXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4500pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H852NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€54W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@40V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:14.2mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H854NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€68W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:9.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H854NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€68W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:9.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H852NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€54W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@40V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:14.2mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA041N04NGXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:35W
阈值电压:4V@45µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4500pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H852NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€54W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@40V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:14.2mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H852NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€54W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@40V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:14.2mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H854NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€68W
阈值电压:4V@45µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:9.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP041N04NGXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:4V@45µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4500pF@20V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H852NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€54W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@40V
连续漏极电流:10A€40A
类型:N沟道
导通电阻:14.2mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: