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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1013X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：450mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：350mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：84000，"04+"：324000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD5905T1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：450mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：90mΩ@3A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1013X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：450mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：350mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1023X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：450mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：370mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.2Ω@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1023X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：450mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：370mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.2Ω@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1023X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：450mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：370mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.2Ω@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1131
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1305DL-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：450mV@250µA
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1013R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：450mV@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：350mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS5445T1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：450mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.2A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：84000，"04+"：324000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD5905T1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：450mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：90mΩ@3A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1013X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：450mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：350mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1013X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：450mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：350mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1013X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：450mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：350mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1023X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：450mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：370mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.2Ω@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1013X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：450mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：350mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1023X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：450mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：370mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.2Ω@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1013X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：450mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：350mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1131
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1305DL-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：450mV@250µA
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1023X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：450mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：370mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.2Ω@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1023X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：450mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：370mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.2Ω@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1023X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：450mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：370mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.2Ω@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1013X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：450mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：350mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1013X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：450mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：350mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD5905T1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：450mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：90mΩ@3A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD5905T1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：450mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：90mΩ@3A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS5445T1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：450mV@250µA
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.2A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1023X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：450mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：370mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.2Ω@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1013X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：450mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：350mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1013R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：450mV@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：350mA
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1013X-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：450mV@250µA
功率：250mW
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@350mA，4.5V
栅极电荷：1.5nC@4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：350mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
