品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1411DH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:420mA
类型:P沟道
导通电阻:2.6Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB6NK60ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:905pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1411DH-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:420mA
类型:P沟道
导通电阻:2.6Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB7NK80ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1138pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@2.6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB12NK80ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620pF@25V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5.25A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB11NK40ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@4.5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB7NK80ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1138pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@2.6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB7NK80ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1138pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@2.6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1411DH-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:420mA
类型:P沟道
导通电阻:2.6Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1411DH-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:420mA
类型:P沟道
导通电阻:2.6Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1411DH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:420mA
类型:P沟道
导通电阻:2.6Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB12NK80ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620pF@25V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5.25A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1411DH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:420mA
类型:P沟道
导通电阻:2.6Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB12NK80ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2620pF@25V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5.25A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB11NK50ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1390pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1411DH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:420mA
类型:P沟道
导通电阻:2.6Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1411DH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:420mA
类型:P沟道
导通电阻:2.6Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB11NK40ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@4.5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB7NK80ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1138pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@2.6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB11NK40ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@4.5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB11NK40ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@4.5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB7NK80ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1138pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@2.6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB6NK90ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:140W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:60.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@25V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@2.9A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS022N15MC
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.2W€71.4W
阈值电压:4.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1315pF@75V
连续漏极电流:7.4A€37.2A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB11NK40ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@4.5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1411DH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:420mA
类型:P沟道
导通电阻:2.6Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS022N15MC
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.2W€71.4W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1315pF@75V
连续漏极电流:7.4A€37.2A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB7NK80ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1138pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@2.6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB11NK50ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1390pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB11NK50ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1390pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: