采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS1101D
工作温度：-40℃~150℃
功率：791mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：11.25nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.5A，10V
漏源电压：15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMSD2P102LR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@16V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMSD2P102LR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@16V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMSD2P102LR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@16V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"08+"：4500，"09+"：904，"10+"：95，"11+"：265，"MI+"：2296}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS1101D
工作温度：-40℃~150℃
功率：791mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.25nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.5A，10V
漏源电压：15V
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库存：
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销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS1101D
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功率：791mW
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包装方式：管件
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类型：P沟道
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销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS1101D
工作温度：-40℃~150℃
功率：791mW
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
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漏源电压：15V
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包装规格(MPQ)：75psc
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工作温度：-40℃~150℃
功率：791mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：11.25nC@10V
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连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
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生产批次：{"08+"：4500，"09+"：904，"10+"：95，"11+"：265，"MI+"：2296}
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ECCN：EAR99
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包装方式：管件
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.5A，10V
漏源电压：15V
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栅极电荷：11.25nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.5A，10V
漏源电压：15V
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连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
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漏源电压：15V
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功率：791mW
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栅极电荷：11.25nC@10V
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连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.5A，10V
漏源电压：15V
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规格型号(MPN)：TPS1101D
工作温度：-40℃~150℃
功率：791mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.25nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.5A，10V
漏源电压：15V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：75psc
规格型号(MPN)：TPS1101D
漏源电压：15V
栅极电荷：11.25nC@10V
功率：791mW
导通电阻：90mΩ@2.5A，10V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
包装方式：管件
阈值电压：1.5V@250µA
工作温度：-40℃~150℃
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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