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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4102PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@16V
连续漏极电流：2.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTHD4102PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@16V
连续漏极电流：2.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMA2002NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：123mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：1.1W
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输入电容：750pF@16V
连续漏极电流：2.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
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功率：1.1W
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输入电容：750pF@16V
连续漏极电流：2.9A
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导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
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导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
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ECCN：EAR99
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ECCN：EAR99
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导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
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规格型号(MPN)：FDMA2002NZ
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功率：650mW
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连续漏极电流：2.9A
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连续漏极电流：2.9A
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连续漏极电流：2.9A
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功率：1.1W
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ECCN：EAR99
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输入电容：750pF@16V
连续漏极电流：2.9A
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规格型号(MPN)：FDMA2002NZ
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功率：650mW
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连续漏极电流：2.9A
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功率：650mW
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输入电容：220pF@15V
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类型：2N沟道（双）
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功率：650mW
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输入电容：220pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：123mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
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功率：1.1W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@16V
连续漏极电流：2.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4102PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
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ECCN：EAR99
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输入电容：750pF@16V
连续漏极电流：2.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：2.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
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类型：2个P沟道（双）
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